TOP223YN Interruptor PWM Fuera de Línea de Tres Terminales. MOSFET de Potencia

[TOP223YN] TOP223YN Interruptor PWM Fuera de Línea de Tres Terminales. MOSFET de Potencia

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Referencia Interna: TOP223YN

TOP223YN Conmutador Integrado de Tres Terminales

Circuito integrado regulador TOPSwitch-II para fuentes de alimentación conmutadas compactas

El TOP223YN es un circuito integrado de conmutación de alta tensión perteneciente a la clásica familia TOPSwitch-II de Power Integrations. Este componente simplifica el diseño al incorporar un MOSFET de potencia junto con los sistemas de control PWM en un formato de tres terminales. Optimizado para fuentes conmutadas pequeñas, garantiza una excelente eficiencia energética reduciendo radicalmente los componentes periféricos en placa.

Especificaciones Técnicas Detalladas

Parámetro Valor / Detalle
Tipo de componenteConmutador PWM Autónomo de Potencia (SMPS)
Voltaje de drenaje del MOSFET (VD)700V (Máximo soportado)
Potencia de salida (Entrada 85-265 VCA)Hasta 25W (En topología Flyback abierta)
Potencia de salida (Entrada 230 VCA)Hasta 50W (Con diseño de disipación adecuado)
Frecuencia de conmutación interna100 kHz (Fija de fábrica)
Ciclo de trabajo máximo (DCMAX)67% (Típico)
Corriente de drenaje pico de encendido1.5 A (Límite interno fijo)
Voltaje del pin de Control (VC)-0.3V a 9V
Corriente del pin de Control (IC)100 mA (Límite de polarización)
Resistencia de encendido (RDSon)6.4 Ω (Típica a 25°C)
Encapsulado estándarTO-220 (Montaje por orificio)

Pinout (Configuración de Pines)

Número de Pin Nombre del Terminal Descripción Funcional Detalle de Conexión
Pin 1Control (C)Entrada de error y alimentación de controlHacia el optoacoplador de retorno
Pin 2Fuente (S)Retorno común del circuito y tierraReferencia negativa del rectificador principal
Pin 3Drenaje (D)Salida de potencia del MOSFET integradoHacia el primario del transformador / Pestaña

Ventajas del TOP223YN

Topología de Tres Terminales Simples: Al utilizar la misma cantidad de pines que un transistor estándar, reduce radicalmente el espacio en placa y facilita el mantenimiento técnico.

Inmunidad de Voltaje a 700V: Su MOSFET interno cuenta con un alto umbral de ruptura dieléctrica, tolerando con facilidad picos inversos y variaciones bruscas en la línea de CA.

Sistemas de Seguridad Robustos: Incorpora de fábrica reinicio automático ante la pérdida de regulación, limitación de corriente ciclo por ciclo y apagado por sobretemperatura.

Supresión de Ruido por Conmutación: Su arquitectura interna minimiza de forma nativa la distorsión por interferencia electromagnética (EMI), abaratando los costos en filtros inductivos de entrada.

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