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- TIP122 Transistor BJT Darlington NPN 100V 65W 5A hfe:1000 [TIP122] TIP122 Transistor BJT Darlington NPN 100V 65W 5A hfe:1000
TIP122 Transistor BJT Darlington NPN 100V 65W 5A hfe:1000
[TIP122] TIP122 Transistor BJT Darlington NPN 100V 65W 5A hfe:1000
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Referencia Interna:
TIP122
TIP122 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de alta tensión y ganancia masiva para control de cargas pesadas
El TIP122 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación eficiente de alta corriente. Su diseño interno asocia dos transistores en cascada para multiplicar masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación de cargas industriales directamente desde salidas lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo estándares robustos, ofrece una alta resistencia a sobretensiones.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 100V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP122
Máxima Tolerancia de Voltaje: Su capacidad superior para soportar tensiones de hasta 100V lo convierte en la variante más robusta de su familia, ideal para resistir picos inductivos severos.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Proporciona una amplificación masiva de corriente, requiriendo apenas unos pocos miliamperios en su base para conmutar por completo corrientes de colector elevadas.
Diodo de Protección Integrado: Cuenta con un diodo antiparalelo de libre circulación que protege el semiconductor contra corrientes inversas perjudiciales causadas por motores o relés.
Control Directo desde MCU: Permite realizar interfaces de potencia seguras y directas acopladas a microcontroladores lógicos estándar sin recurrir a etapas de amplificación previas.
Aplicaciones Recomendadas
TIP122 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de alta tensión y ganancia masiva para control de cargas pesadas
El TIP122 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación eficiente de alta corriente. Su diseño interno asocia dos transistores en cascada para multiplicar masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación de cargas industriales directamente desde salidas lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo estándares robustos, ofrece una alta resistencia a sobretensiones.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 100V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP122
Máxima Tolerancia de Voltaje: Su capacidad superior para soportar tensiones de hasta 100V lo convierte en la variante más robusta de su familia, ideal para resistir picos inductivos severos.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Proporciona una amplificación masiva de corriente, requiriendo apenas unos pocos miliamperios en su base para conmutar por completo corrientes de colector elevadas.
Diodo de Protección Integrado: Cuenta con un diodo antiparalelo de libre circulación que protege el semiconductor contra corrientes inversas perjudiciales causadas por motores o relés.
Control Directo desde MCU: Permite realizar interfaces de potencia seguras y directas acopladas a microcontroladores lógicos estándar sin recurrir a etapas de amplificación previas.
Aplicaciones Recomendadas
TIP122 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de alta tensión y ganancia masiva para control de cargas pesadas
El TIP122 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación eficiente de alta corriente. Su diseño interno asocia dos transistores en cascada para multiplicar masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación de cargas industriales directamente desde salidas lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo estándares robustos, ofrece una alta resistencia a sobretensiones.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 100V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP122
Máxima Tolerancia de Voltaje: Su capacidad superior para soportar tensiones de hasta 100V lo convierte en la variante más robusta de su familia, ideal para resistir picos inductivos severos.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Proporciona una amplificación masiva de corriente, requiriendo apenas unos pocos miliamperios en su base para conmutar por completo corrientes de colector elevadas.
Diodo de Protección Integrado: Cuenta con un diodo antiparalelo de libre circulación que protege el semiconductor contra corrientes inversas perjudiciales causadas por motores o relés.
Control Directo desde MCU: Permite realizar interfaces de potencia seguras y directas acopladas a microcontroladores lógicos estándar sin recurrir a etapas de amplificación previas.
Aplicaciones Recomendadas
TIP122 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de alta tensión y ganancia masiva para control de cargas pesadas
El TIP122 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación eficiente de alta corriente. Su diseño interno asocia dos transistores en cascada para multiplicar masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación de cargas industriales directamente desde salidas lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo estándares robustos, ofrece una alta resistencia a sobretensiones.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 100V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP122
Máxima Tolerancia de Voltaje: Su capacidad superior para soportar tensiones de hasta 100V lo convierte en la variante más robusta de su familia, ideal para resistir picos inductivos severos.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Proporciona una amplificación masiva de corriente, requiriendo apenas unos pocos miliamperios en su base para conmutar por completo corrientes de colector elevadas.
Diodo de Protección Integrado: Cuenta con un diodo antiparalelo de libre circulación que protege el semiconductor contra corrientes inversas perjudiciales causadas por motores o relés.
Control Directo desde MCU: Permite realizar interfaces de potencia seguras y directas acopladas a microcontroladores lógicos estándar sin recurrir a etapas de amplificación previas.