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TIP121 TRANSISTOR NPN DARLINGTON 5AMP 80V
[TIP121] TIP121 TRANSISTOR NPN DARLINGTON 5AMP 80V
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Referencia Interna:
TIP121
TIP121 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de media tensión y ganancia ultra alta para conmutación eficiente
El TIP121 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación robusta de alta corriente. Su estructura interna integra dos transistores acoplados en cascada que multiplican drásticamente la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo empaques estándar, garantiza un rendimiento térmico seguro.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 80V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP121
Mayor Tolerancia de Voltaje: A diferencia de su homólogo TIP120, soporta voltajes colector-emisor de hasta 80V, brindando un margen extra de seguridad para sistemas con picos transitorios.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Multiplica masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación plena del canal con corrientes de base reducidas en el rango de los miliamperios.
Diodo Damper Incorporado: Incluye un diodo antiparalelo integrado de fábrica que suprime eficazmente las fuerzas contraelectromotrices destructivas generadas por bobinas inductivas.
Compatibilidad Lógica Directa: Se activa de manera directa mediante pines de salida de microcontroladores modernos, actuando como un intermediario de potencia óptimo.
Aplicaciones Recomendadas
TIP121 Transistor Darlington NPN de Potencia
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El TIP121 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación robusta de alta corriente. Su estructura interna integra dos transistores acoplados en cascada que multiplican drásticamente la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo empaques estándar, garantiza un rendimiento térmico seguro.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 80V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP121
Mayor Tolerancia de Voltaje: A diferencia de su homólogo TIP120, soporta voltajes colector-emisor de hasta 80V, brindando un margen extra de seguridad para sistemas con picos transitorios.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Multiplica masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación plena del canal con corrientes de base reducidas en el rango de los miliamperios.
Diodo Damper Incorporado: Incluye un diodo antiparalelo integrado de fábrica que suprime eficazmente las fuerzas contraelectromotrices destructivas generadas por bobinas inductivas.
Compatibilidad Lógica Directa: Se activa de manera directa mediante pines de salida de microcontroladores modernos, actuando como un intermediario de potencia óptimo.
Aplicaciones Recomendadas
TIP121 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de media tensión y ganancia ultra alta para conmutación eficiente
El TIP121 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación robusta de alta corriente. Su estructura interna integra dos transistores acoplados en cascada que multiplican drásticamente la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo empaques estándar, garantiza un rendimiento térmico seguro.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 80V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP121
Mayor Tolerancia de Voltaje: A diferencia de su homólogo TIP120, soporta voltajes colector-emisor de hasta 80V, brindando un margen extra de seguridad para sistemas con picos transitorios.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Multiplica masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación plena del canal con corrientes de base reducidas en el rango de los miliamperios.
Diodo Damper Incorporado: Incluye un diodo antiparalelo integrado de fábrica que suprime eficazmente las fuerzas contraelectromotrices destructivas generadas por bobinas inductivas.
Compatibilidad Lógica Directa: Se activa de manera directa mediante pines de salida de microcontroladores modernos, actuando como un intermediario de potencia óptimo.
Aplicaciones Recomendadas
TIP121 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de silicio de media tensión y ganancia ultra alta para conmutación eficiente
El TIP121 es un transistor de potencia de silicio en configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación robusta de alta corriente. Su estructura interna integra dos transistores acoplados en cascada que multiplican drásticamente la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas de microcontroladores. Fabricado bajo empaques estándar, garantiza un rendimiento térmico seguro.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 80V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (A temperatura de carcasa de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP121
Mayor Tolerancia de Voltaje: A diferencia de su homólogo TIP120, soporta voltajes colector-emisor de hasta 80V, brindando un margen extra de seguridad para sistemas con picos transitorios.
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Multiplica masivamente la ganancia de corriente, permitiendo la activación plena del canal con corrientes de base reducidas en el rango de los miliamperios.
Diodo Damper Incorporado: Incluye un diodo antiparalelo integrado de fábrica que suprime eficazmente las fuerzas contraelectromotrices destructivas generadas por bobinas inductivas.
Compatibilidad Lógica Directa: Se activa de manera directa mediante pines de salida de microcontroladores modernos, actuando como un intermediario de potencia óptimo.