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TIP120 Transistor NPN Darlington 60 Voltios 5 Amperios
[TIP120] TIP120 Transistor NPN Darlington 60 Voltios 5 Amperios
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Referencia Interna:
TIP120
TIP120 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de potencia de silicio de ganancia ultra alta para conmutación y amplificación
El TIP120 es un transistor de potencia de silicio con configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación lenta de alta corriente. Su estructura interna consta de dos transistores acoplados que multiplican la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas débiles. Fabricado bajo empaques estándar industriales, garantiza una conmutación robusta y segura en automatización electrónica.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (高度) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite máximo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (Con disipador a 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Plastic Body) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP120
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Al integrar internamente dos transistores acoplados en cascada, ofrece una amplificación de corriente masiva que reduce al mínimo la señal de control requerida en la base.
Control Directo desde Microcontroladores: Su sensibilidad permite conmutar cargas de hasta 5A operando directamente desde salidas lógicas de baja corriente como Arduino, microcontroladores o sensores.
Diodo Antiparalelo de Protección: Incorpora un diodo damper integrado entre colector y emisor que disipa las corrientes inversas dañinas provocadas por el apagado de cargas inductivas.
Encapsulado de Disipación Eficiente: El formato TO-220 cuenta con una pestaña metálica posterior expuesta, permitiendo un atornillado firme a disipadores térmicos para trabajos pesados.
Aplicaciones Recomendadas
TIP120 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de potencia de silicio de ganancia ultra alta para conmutación y amplificación
El TIP120 es un transistor de potencia de silicio con configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación lenta de alta corriente. Su estructura interna consta de dos transistores acoplados que multiplican la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas débiles. Fabricado bajo empaques estándar industriales, garantiza una conmutación robusta y segura en automatización electrónica.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite máximo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (Con disipador a 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP120
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Al integrar internamente dos transistores acoplados en cascada, ofrece una amplificación de corriente masiva que reduce al mínimo la señal de control requerida en la base.
Control Directo desde Microcontroladores: Su sensibilidad permite conmutar cargas de hasta 5A operando directamente desde salidas lógicas de baja corriente como Arduino, microcontroladores o sensores.
Diodo Antiparalelo de Protección: Incorpora un diodo damper integrado entre colector y emisor que disipa las corrientes inversas dañinas provocadas por el apagado de cargas inductivas.
Encapsulado de Disipación Eficiente: El formato TO-220 cuenta con una pestaña metálica posterior expuesta, permitiendo un atornillado firme a disipadores térmicos para trabajos pesados.
Aplicaciones Recomendadas
TIP120 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de potencia de silicio de ganancia ultra alta para conmutación y amplificación
El TIP120 es un transistor de potencia de silicio con configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación lenta de alta corriente. Su estructura interna consta de dos transistores acoplados que multiplican la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas débiles. Fabricado bajo empaques estándar industriales, garantiza una conmutación robusta y segura en automatización electrónica.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (高度) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite máximo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (Con disipador a 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Plastic Body) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP120
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Al integrar internamente dos transistores acoplados en cascada, ofrece una amplificación de corriente masiva que reduce al mínimo la señal de control requerida en la base.
Control Directo desde Microcontroladores: Su sensibilidad permite conmutar cargas de hasta 5A operando directamente desde salidas lógicas de baja corriente como Arduino, microcontroladores o sensores.
Diodo Antiparalelo de Protección: Incorpora un diodo damper integrado entre colector y emisor que disipa las corrientes inversas dañinas provocadas por el apagado de cargas inductivas.
Encapsulado de Disipación Eficiente: El formato TO-220 cuenta con una pestaña metálica posterior expuesta, permitiendo un atornillado firme a disipadores térmicos para trabajos pesados.
Aplicaciones Recomendadas
TIP120 Transistor Darlington NPN de Potencia
Transistor de potencia de silicio de ganancia ultra alta para conmutación y amplificación
El TIP120 es un transistor de potencia de silicio con configuración Darlington tipo NPN diseñado para aplicaciones de amplificación y conmutación lenta de alta corriente. Su estructura interna consta de dos transistores acoplados que multiplican la ganancia de corriente, permitiendo controlar cargas pesadas directamente desde señales lógicas débiles. Fabricado bajo empaques estándar industriales, garantiza una conmutación robusta y segura en automatización electrónica.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Configuración Darlington) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite máximo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 8 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 120 mA |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 1000 (Mínimo a 3V, 3A) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 65W (Con disipador a 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Máximo a IC = 3A, IB = 12mA) |
| Encapsulado estándar | TO-220 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control (Gatillo) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Pestaña | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Derecha |
Ventajas del TIP120
Ganancia Darlington Ultra Elevada: Al integrar internamente dos transistores acoplados en cascada, ofrece una amplificación de corriente masiva que reduce al mínimo la señal de control requerida en la base.
Control Directo desde Microcontroladores: Su sensibilidad permite conmutar cargas de hasta 5A operando directamente desde salidas lógicas de baja corriente como Arduino, microcontroladores o sensores.
Diodo Antiparalelo de Protección: Incorpora un diodo damper integrado entre colector y emisor que disipa las corrientes inversas dañinas provocadas por el apagado de cargas inductivas.
Encapsulado de Disipación Eficiente: El formato TO-220 cuenta con una pestaña metálica posterior expuesta, permitiendo un atornillado firme a disipadores térmicos para trabajos pesados.