SSS6N60FI Transistor Mosfet Canal N 600V 3.8A Encapsulado ISOWATT220
[SSS6N60FI] SSS6N60FI Transistor Mosfet Canal N 600V 3.8A Encapsulado ISOWATT220
Referencia Interna:
SSS6N60FI
MOSFET Canal N de Alta Tensión en Encapsulado TO-220F - SSS6N60FI
El SSS6N60FI es un MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de alta tensión, ideal para conmutación rápida en fuentes conmutadas, drivers y etapas de potencia. Se utiliza comúnmente en convertidores AC/DC, SMPS, inversores y control de cargas donde se requiere buena resistencia a picos y funcionamiento estable. Su diseño está orientado a trabajo eficiente en conmutación, con parámetros adecuados para operación a alta tensión y manejo de corriente moderada. El encapsulado TO-220F (aislado) facilita el montaje en disipador y mejora la seguridad eléctrica al reducir riesgos de contacto con el tab, manteniendo una disipación térmica correcta cuando se instala adecuadamente en aplicaciones exigentes.
Especificaciones Técnicas
| Tipo de dispositivo | MOSFET de potencia Canal N |
|---|---|
| Encapsulado | TO-220F (aislado) |
| Tensión drenaje-fuente (VDSS) | 600 V |
| Corriente de drenaje (ID) | 6 A |
| RDS(on) | ~ 1.2 Ω (máx., según condiciones) |
| Tensión compuerta-fuente (VGS) | ±20 V |
| Potencia de disipación (PD) | ~125 W (con disipación adecuada) |
| VGS(th) | ~2 V a 4 V (típico) |
| Diodo interno | Body diode integrado |
| Conmutación | Rápida, para SMPS y conmutación |
| Protección / robustez | Capacidad de avalancha (según hoja de datos) |
| Configuración de pines | Gate - Drain - Source (verificar serigrafía) |
| Temperatura de operación | -55 °C a 150 °C |
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