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SGH80N60UFD Transistor IGBT 80A 600V Ultra Rápido
[SGH80N60UFD] SGH80N60UFD Transistor IGBT 80A 600V Ultra Rápido
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SGH80N60UFD
SGH80N60UFD Transistor IGBT Ultra Rápido de Potencia
Transistor de compuerta aislada de 600V y 80A con diodo de recuperación ultra rápida en encapsulado TO-3P
El SGH80N60UFD es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología planar avanzada de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su óptima arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores de soldadura y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 195 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | Apto para conmutaciones de alta velocidad (Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-3P / TO-247 (Plástico de alta resistencia con pestaña posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del SGH80N60UFD
Gran Capacidad de Corriente (80A): Permite gestionar flujos eléctricos de amperaje sumamente elevados de manera continua, ideal para inversores pesados.
Diodo de Recuperación Ultra Rápida integrado: Su avanzada arquitectura interna Co-Pack incluye un diodo que reduce drásticamente las pérdidas por conmutación y ruidos.
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, facilitando el diseño de circuitos excitadores.
Encapsulado TO-3P de Alta Disipación: Su robusta pestaña metálica trasera solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio industriales.
Aplicaciones Recomendadas
SGH80N60UFD Transistor IGBT Ultra Rápido de Potencia
Transistor de compuerta aislada de 600V y 80A con diodo de recuperación ultra rápida en encapsulado TO-3P
El SGH80N60UFD es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología planar avanzada de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su óptima arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores de soldadura y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 195 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | Apto para conmutaciones de alta velocidad (Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-3P / TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del SGH80N60UFD
Gran Capacidad de Corriente (80A): Permite gestionar flujos eléctricos de amperaje sumamente elevados de manera continua, ideal para inversores pesados.
Diodo de Recuperación Ultra Rápida integrado: Su avanzada arquitectura interna Co-Pack incluye un diodo que reduce drásticamente las pérdidas por conmutación y ruidos.
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, facilitando el diseño de circuitos excitadores.
Encapsulado TO-3P de Alta Disipación: Su robusta pestaña metálica trasera solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio industriales.
Aplicaciones Recomendadas
SGH80N60UFD Transistor IGBT Ultra Rápido de Potencia
Transistor de compuerta aislada de 600V y 80A con diodo de recuperación ultra rápida en encapsulado TO-3P
El SGH80N60UFD es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología planar avanzada de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su óptima arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores de soldadura y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 195 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | Apto para conmutaciones de alta velocidad (Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-3P / TO-247 (Plástico de alta resistencia con pestaña posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del SGH80N60UFD
Gran Capacidad de Corriente (80A): Permite gestionar flujos eléctricos de amperaje sumamente elevados de manera continua, ideal para inversores pesados.
Diodo de Recuperación Ultra Rápida integrado: Su avanzada arquitectura interna Co-Pack incluye un diodo que reduce drásticamente las pérdidas por conmutación y ruidos.
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, facilitando el diseño de circuitos excitadores.
Encapsulado TO-3P de Alta Disipación: Su robusta pestaña metálica trasera solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio industriales.
Aplicaciones Recomendadas
SGH80N60UFD Transistor IGBT Ultra Rápido de Potencia
Transistor de compuerta aislada de 600V y 80A con diodo de recuperación ultra rápida en encapsulado TO-3P
El SGH80N60UFD es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología planar avanzada de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su óptima arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores de soldadura y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 195 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | Apto para conmutaciones de alta velocidad (Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-3P / TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del SGH80N60UFD
Gran Capacidad de Corriente (80A): Permite gestionar flujos eléctricos de amperaje sumamente elevados de manera continua, ideal para inversores pesados.
Diodo de Recuperación Ultra Rápida integrado: Su avanzada arquitectura interna Co-Pack incluye un diodo que reduce drásticamente las pérdidas por conmutación y ruidos.
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, facilitando el diseño de circuitos excitadores.
Encapsulado TO-3P de Alta Disipación: Su robusta pestaña metálica trasera solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio industriales.