Transistor PNP Uso General 40V 0.2A

S/ 0.50 0.5 PEN S/ 0.50

S/ 0.50

Esta combinación no existe.

Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales

Referencia Interna: MMBT3906LT1G

Transistor PNP de Propósito General SMD - MMBT3906LT1G

El MMBT3906LT1G es un transistor PNP de propósito general con encapsulado SOT-23, diseñado para montaje superficial. Se utiliza en amplificadores, controladores de baja potencia y circuitos de conmutación complementarios junto con el MMBT3904. Su bajo consumo, buena linealidad y alta velocidad lo hacen ideal para dispositivos portátiles, comunicaciones y control digital en entornos industriales y electrónicos modernos.

Especificaciones Técnicas

Tipo de transistor	PNP de propósito general
Encapsulado	SOT-23 (SMD)
Tensión colector-emisor (Vce)	-40 V
Tensión colector-base (Vcb)	-60 V
Tensión emisor-base (Veb)	-5 V
Corriente máxima de colector	-200 mA
Disipación máxima	225 mW
Ganancia de corriente (hFE)	100 a 300
Frecuencia de transición (fT)	250 MHz
Tensión de saturación	-0.25 V típico
Temperatura de operación	-55 °C a +150 °C
Configuración de pines	1. Base / 2. Emisor / 3. Colector
Aplicaciones	Amplificación, conmutación, control y pares complementarios

Usos Comunes del MMBT3906LT1G

• Amplificadores complementarios: Pares con MMBT3904 para etapas push-pull.
• Conmutación de baja potencia: Control eficiente de señales negativas o simétricas.
• Controladores lógicos: Compatible con niveles de señal de microcontroladores.
• Circuitos de polarización: Usado en fuentes y amplificadores de precisión.
• Equipos portátiles: Dispositivos alimentados por batería y electrónica ligera.
• Automatización: Sistemas de detección y control de bajo consumo.

Consultar ficha técnica (Datasheet)

Descarga la hoja de datos del MMBT3906LT1G con características de ganancia y curvas térmicas.

Descargue su Datasheet (PDF)