Transistor NPN Uso General 40V 0.2A

S/ 0.50 0.5 PEN S/ 0.50

S/ 0.50

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Referencia Interna: MMBT3904LT1G

Transistor NPN de Propósito General SMD - MMBT3904LT1G

El MMBT3904LT1G es un transistor NPN de propósito general en encapsulado SOT-23, diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificación en montaje superficial. Ofrece una excelente relación ganancia-corriente, baja saturación y alta velocidad, ideal para circuitos digitales, analógicos y de control. Es ampliamente utilizado en equipos de telecomunicación, automatización y sistemas portátiles debido a su tamaño compacto y alta confiabilidad.

Especificaciones Técnicas

Tipo de transistor	NPN de propósito general
Encapsulado	SOT-23 (SMD)
Tensión colector-emisor (Vce)	40 V
Tensión colector-base (Vcb)	60 V
Tensión emisor-base (Veb)	6 V
Corriente máxima de colector	200 mA
Disipación máxima	225 mW
Ganancia de corriente (hFE)	100 a 300
Frecuencia de transición (fT)	300 MHz
Tensión de saturación	0.3 V típico
Temperatura de operación	-55 °C a +150 °C
Configuración de pines	1. Base / 2. Emisor / 3. Colector
Aplicaciones	Amplificación, conmutación, control, audio y señal digital

Usos Comunes del MMBT3904LT1G

• Amplificadores de señal: Ideal para preamplificadores y etapas de ganancia.
• Conmutación rápida: Usado en control de relés, LED y circuitos PWM.
• Aplicaciones lógicas: Interfaz entre microcontroladores y sistemas externos.
• Electrónica portátil: Dispositivos de bajo consumo y tamaño reducido.
• Audio y radiofrecuencia: Adecuado para pequeñas etapas de RF y AF.
• Educación electrónica: Uso general en prototipos y prácticas SMD.

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