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- IRGPS40B120U Transistor IGBT 1200V 40A Ultra Rápido Encapsulado Super-247 [IRGPS40B120U] IRGPS40B120U Transistor IGBT 1200V 40A Ultra Rápido Encapsulado Super-247
IRGPS40B120U Transistor IGBT 1200V 40A Ultra Rápido Encapsulado Super-247
[IRGPS40B120U] IRGPS40B120U Transistor IGBT 1200V 40A Ultra Rápido Encapsulado Super-247
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IRGPS40B120U
IRGPS40B120U Transistor IGBT Ultra Rápido de Alta Tensión
Transistor de compuerta aislada NPT de 1200V y 80A en encapsulado industrial robusto Super-247
El IRGPS40B120U es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología Non-Punch-Through de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y voltaje extremo. Su avanzada arquitectura minimiza drásticamente las pérdidas por conducción, optimizando sistemas de inducción magnética pesada. Su robusto encapsulado Super-247 asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores solares y grandes variadores industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 1200V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite máximo de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 160 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.4V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 592 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 310 nC (Típica para control dinámico veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango de velocidad Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | Super-247 / TO-274AA (Sin orificio de tornillo plano) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Pestaña trasera | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRGPS40B120U
Rigidez Dieléctrica Extrema (1200V): Diseñado específicamente para operar de manera segura en entornos eléctricos industriales de alta tensión y buses DC demandantes.
Tecnología NPT de Silicio Robusta: La arquitectura Non-Punch-Through le brinda un coeficiente de temperatura positivo y excelente resistencia al cortocircuito, facilitando el montaje en paralelo.
Disipación Térmica Masiva (592W): Su encapsulado Super-247 aumenta el área de contacto efectiva, reduciendo drásticamente la resistencia térmica carcasa-disipador.
Conmutación de Ultra Alta Velocidad: Su canal aislado reduce el tiempo de cola de corriente, minimizando las pérdidas energéticas dinámicas en frecuencias de hasta 40 kHz.
Aplicaciones Recomendadas
IRGPS40B120U Transistor IGBT Ultra Rápido de Alta Tensión
Transistor de compuerta aislada NPT de 1200V y 80A en encapsulado industrial robusto Super-247
El IRGPS40B120U es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología Non-Punch-Through de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y voltaje extremo. Su avanzada arquitectura minimiza drásticamente las pérdidas por conducción, optimizando sistemas de inducción magnética pesada. Su robusto encapsulado asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores solares y grandes variadores industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 1200V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite máximo de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 160 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.4V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 592 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 310 nC (Típica para control dinámico veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango de velocidad Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | Super-247 / TO-274AA (Montaje por orificio sin perforación central) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña trasera | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRGPS40B120U
Rigidez Dieléctrica Extrema (1200V): Diseñado específicamente para operar de manera segura en entornos eléctricos industriales de alta tensión y buses DC demandantes.
Tecnología NPT de Silicio Robusta: La arquitectura Non-Punch-Through le brinda un coeficiente de temperatura positivo y excelente resistencia al cortocircuito, facilitando el montaje en paralelo.
Disipación Térmica Masiva (592W): Su encapsulado Super-247 aumenta el área de contacto efectiva, reduciendo drásticamente la resistencia térmica carcasa-disipador.
Conmutación de Ultra Alta Velocidad: Su canal aislado reduce el tiempo de cola de corriente, minimizando las pérdidas energéticas dinámicas en frecuencias de hasta 40 kHz.
Aplicaciones Recomendadas
IRGPS40B120U Transistor IGBT Ultra Rápido de Alta Tensión
Transistor de compuerta aislada NPT de 1200V y 80A en encapsulado industrial robusto Super-247
El IRGPS40B120U es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología Non-Punch-Through de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y voltaje extremo. Su avanzada arquitectura minimiza drásticamente las pérdidas por conducción, optimizando sistemas de inducción magnética pesada. Su robusto encapsulado Super-247 asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores solares y grandes variadores industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 1200V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite máximo de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 160 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.4V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 592 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 310 nC (Típica para control dinámico veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango de velocidad Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | Super-247 / TO-274AA (Sin orificio de tornillo plano) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Pestaña trasera | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRGPS40B120U
Rigidez Dieléctrica Extrema (1200V): Diseñado específicamente para operar de manera segura en entornos eléctricos industriales de alta tensión y buses DC demandantes.
Tecnología NPT de Silicio Robusta: La arquitectura Non-Punch-Through le brinda un coeficiente de temperatura positivo y excelente resistencia al cortocircuito, facilitando el montaje en paralelo.
Disipación Térmica Masiva (592W): Su encapsulado Super-247 aumenta el área de contacto efectiva, reduciendo drásticamente la resistencia térmica carcasa-disipador.
Conmutación de Ultra Alta Velocidad: Su canal aislado reduce el tiempo de cola de corriente, minimizando las pérdidas energéticas dinámicas en frecuencias de hasta 40 kHz.
Aplicaciones Recomendadas
IRGPS40B120U Transistor IGBT Ultra Rápido de Alta Tensión
Transistor de compuerta aislada NPT de 1200V y 80A en encapsulado industrial robusto Super-247
El IRGPS40B120U es un transistor bipolar de compuerta aislada con tecnología Non-Punch-Through de silicio, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y voltaje extremo. Su avanzada arquitectura minimiza drásticamente las pérdidas por conducción, optimizando sistemas de inducción magnética pesada. Su robusto encapsulado asegura un acoplamiento idóneo ante estrés térmico crítico en inversores solares y grandes variadores industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 1200V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite máximo de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 80 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 160 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.4V (Típico a IC = 40A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 592 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 310 nC (Típica para control dinámico veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango de velocidad Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | Super-247 / TO-274AA (Montaje por orificio sin perforación central) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña trasera | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRGPS40B120U
Rigidez Dieléctrica Extrema (1200V): Diseñado específicamente para operar de manera segura en entornos eléctricos industriales de alta tensión y buses DC demandantes.
Tecnología NPT de Silicio Robusta: La arquitectura Non-Punch-Through le brinda un coeficiente de temperatura positivo y excelente resistencia al cortocircuito, facilitando el montaje en paralelo.
Disipación Térmica Masiva (592W): Su encapsulado Super-247 aumenta el área de contacto efectiva, reduciendo drásticamente la resistencia térmica carcasa-disipador.
Conmutación de Ultra Alta Velocidad: Su canal aislado reduce el tiempo de cola de corriente, minimizando las pérdidas energéticas dinámicas en frecuencias de hasta 40 kHz.