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- IRG4PC50UD Transistor IGBT + Diodo de Alta Velocidad 600V 43A [IRG4PC50UD] IRG4PC50UD Transistor IGBT + Diodo de Alta Velocidad 600V 43A
IRG4PC50UD Transistor IGBT + Diodo de Alta Velocidad 600V 43A
[IRG4PC50UD] IRG4PC50UD Transistor IGBT + Diodo de Alta Velocidad 600V 43A
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Referencia Interna:
IRG4PC50UD
IRG4PC50UD Transistor IGBT Co-Pack Ultra Rápido
Transistor de compuerta aislada de 600V y 55A con diodo de recuperación ultra rápida integrado en encapsulado TO-247
El IRG4PC50UD es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su avanzada arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo en inversores de soldadura, sistemas UPS y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 55 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 27 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.65V (Típico a IC = 27A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 200 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango óptimo Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-247AC (Plástico de alta resistencia y pestaña aislada) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRG4PC50UD
Bajísimo Voltaje de Saturación (1.65V): Ofrece una de las caídas de tensión más eficientes de su clase, reduciendo al mínimo la disipación de calor por conducción en alta potencia.
Tecnología Co-Pack con Diodo HEXFRED: Incorpora internamente un diodo hiperrápido que mitiga drásticamente el ruido de recuperación inversa y protege contra sobretensiones inductivas.
Optimizado para Alta Velocidad (Ultra-Fast): Su diseño interno reduce el tiempo de cola de corriente, permitiendo conmutaciones eficientes y limpias en frecuencias de hasta 40 kHz.
Encapsulado TO-247 de Gran Disipación: Su estructura plástica expandida con base metálica posterior maximiza la transferencia térmica hacia disipadores pesados con ventilación forzada.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4PC50UD Transistor IGBT Co-Pack Ultra Rápido
Transistor de compuerta aislada de 600V y 55A con diodo de recuperación ultra rápida integrado en encapsulado TO-247
El IRG4PC50UD es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su avanzada arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo en inversores de soldadura, sistemas UPS y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 55 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 27 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.65V (Típico a IC = 27A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 200 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango óptimo Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-247AC (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRG4PC50UD
Bajísimo Voltaje de Saturación (1.65V): Ofrece una de las caídas de tensión más eficientes de su clase, reduciendo al mínimo la disipación de calor por conducción en alta potencia.
Tecnología Co-Pack con Diodo HEXFRED: Incorpora internamente un diodo hiperrápido que mitiga drásticamente el ruido de recuperación inversa y protege contra sobretensiones inductivas.
Optimizado para Alta Velocidad (Ultra-Fast): Su diseño interno reduce el tiempo de cola de corriente, permitiendo conmutaciones eficientes y limpias en frecuencias de hasta 40 kHz.
Encapsulado TO-247 de Gran Disipación: Su estructura plástica expandida con base metálica posterior maximiza la transferencia térmica hacia disipadores pesados con ventilación forzada.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4PC50UD Transistor IGBT Co-Pack Ultra Rápido
Transistor de compuerta aislada de 600V y 55A con diodo de recuperación ultra rápida integrado en encapsulado TO-247
El IRG4PC50UD es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su avanzada arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo en inversores de soldadura, sistemas UPS y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 55 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 27 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.65V (Típico a IC = 27A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 200 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango óptimo Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-247AC (Plástico de alta resistencia y pestaña aislada) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRG4PC50UD
Bajísimo Voltaje de Saturación (1.65V): Ofrece una de las caídas de tensión más eficientes de su clase, reduciendo al mínimo la disipación de calor por conducción en alta potencia.
Tecnología Co-Pack con Diodo HEXFRED: Incorpora internamente un diodo hiperrápido que mitiga drásticamente el ruido de recuperación inversa y protege contra sobretensiones inductivas.
Optimizado para Alta Velocidad (Ultra-Fast): Su diseño interno reduce el tiempo de cola de corriente, permitiendo conmutaciones eficientes y limpias en frecuencias de hasta 40 kHz.
Encapsulado TO-247 de Gran Disipación: Su estructura plástica expandida con base metálica posterior maximiza la transferencia térmica hacia disipadores pesados con ventilación forzada.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4PC50UD Transistor IGBT Co-Pack Ultra Rápido
Transistor de compuerta aislada de 600V y 55A con diodo de recuperación ultra rápida integrado en encapsulado TO-247
El IRG4PC50UD es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación industrial de alta potencia y frecuencia media. Su avanzada arquitectura Co-Pack integra un diodo de ultra bajo tiempo de recuperación inversa en paralelo para neutralizar picos inductivos destructivos. Su encapsulado robusto asegura un acoplamiento idóneo en inversores de soldadura, sistemas UPS y motores masivos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración interna | IGBT Canal N con Diodo Ultra Rápido (Co-Pack) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo absoluto de operación) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior de control) |
| Corriente de colector continua (IC) | 55 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 27 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 220 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.65V (Típico a IC = 27A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 200 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Corriente directa del diodo (IF) | 25 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 40 kHz (Rango óptimo Ultra-Fast) |
| Encapsulado estándar | TO-247AC (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Unido al respaldo | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente hacia Masa o Bus Negativo | Derecha |
Ventajas del IRG4PC50UD
Bajísimo Voltaje de Saturación (1.65V): Ofrece una de las caídas de tensión más eficientes de su clase, reduciendo al mínimo la disipación de calor por conducción en alta potencia.
Tecnología Co-Pack con Diodo HEXFRED: Incorpora internamente un diodo hiperrápido que mitiga drásticamente el ruido de recuperación inversa y protege contra sobretensiones inductivas.
Optimizado para Alta Velocidad (Ultra-Fast): Su diseño interno reduce el tiempo de cola de corriente, permitiendo conmutaciones eficientes y limpias en frecuencias de hasta 40 kHz.
Encapsulado TO-247 de Gran Disipación: Su estructura plástica expandida con base metálica posterior maximiza la transferencia térmica hacia disipadores pesados con ventilación forzada.