- Todos los productos
- Circuitos Integrados & Semiconductores
- IRG4BC30W Transistor IGBT 23 Amp 600 Voltios 100 W [IRG4BC30W] IRG4BC30W Transistor IGBT 23 Amp 600 Voltios 100 W
IRG4BC30W Transistor IGBT 23 Amp 600 Voltios 100 W
[IRG4BC30W] IRG4BC30W Transistor IGBT 23 Amp 600 Voltios 100 W
https://electrofranko.com/shop/irg4bc30w-irg4bc30w-transistor-igbt-23-amp-600-voltios-100-w-2835 https://electrofranko.com/web/image/product.template/2835/image_1920?unique=1f35ffe
Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales
Referencia Interna:
IRG4BC30W
IRG4BC30W Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 23A optimizado para altas frecuencias de conmutación
El IRG4BC30W es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 23 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 12 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 92 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 12A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 60 kHz a 150 kHz (Optimizado para alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30W
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Optimizado para Alta Frecuencia (U-Speed): La tecnología de cuarta generación reduce drásticamente las pérdidas de conmutación, permitiendo operar eficientemente a frecuencias superiores a los 60 kHz.
Baja Caída en Conducción: Presenta una baja tensión de saturación (VCE sat) de apenas 2.1V en su punto óptimo, minimizando la disipación térmica residual en aplicaciones de potencia dura.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30W Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 23A optimizado para altas frecuencias de conmutación
El IRG4BC30W es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 23 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 12 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 92 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 12A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 60 kHz a 150 kHz (Optimizado para alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30W
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Optimizado para Alta Frecuencia (U-Speed): La tecnología de cuarta generación reduce drásticamente las pérdidas de conmutación, permitiendo operar eficientemente a frecuencias superiores a los 60 kHz.
Baja Caída en Conducción: Presenta una baja tensión de saturación (VCE sat) de apenas 2.1V en su punto óptimo, minimizando la disipación térmica residual en aplicaciones de potencia dura.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30W Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 23A optimizado para altas frecuencias de conmutación
El IRG4BC30W es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 23 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 12 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 92 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 12A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 60 kHz a 150 kHz (Optimizado para alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30W
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Optimizado para Alta Frecuencia (U-Speed): La tecnología de cuarta generación reduce drásticamente las pérdidas de conmutación, permitiendo operar eficientemente a frecuencias superiores a los 60 kHz.
Baja Caída en Conducción: Presenta una baja tensión de saturación (VCE sat) de apenas 2.1V en su punto óptimo, minimizando la disipación térmica residual en aplicaciones de potencia dura.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30W Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 23A optimizado para altas frecuencias de conmutación
El IRG4BC30W es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 23 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 12 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 92 A (Flujo máximo transitorio de pico) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 12A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 60 kHz a 150 kHz (Optimizado para alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30W
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Optimizado para Alta Frecuencia (U-Speed): La tecnología de cuarta generación reduce drásticamente las pérdidas de conmutación, permitiendo operar eficientemente a frecuencias superiores a los 60 kHz.
Baja Caída en Conducción: Presenta una baja tensión de saturación (VCE sat) de apenas 2.1V en su punto óptimo, minimizando la disipación térmica residual en aplicaciones de potencia dura.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.