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IRG4BC30K Transistor IGBT 16 Amp 600 Voltios
[IRG4BC30K] IRG4BC30K Transistor IGBT 16 Amp 600 Voltios
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IRG4BC30K
IRG4BC30K Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 28A optimizado para motores y sistemas de potencia pesados
El IRG4BC30K es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 28 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 16 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 58 A (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.2V (Típico a IC = 16A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 25 kHz (Banda de optimización de ruido) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30K
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Conducción Bipolar de Alta Tensión: Presenta una baja caída de tensión en saturación (VCE sat) a tensiones de hasta 600V, superando en eficiencia energética a MOSFETs de potencia comunes.
Optimizado para Control de Motores: Su diseño robusto mitiga los efectos nocivos de las corrientes parásitas transitorias y sobrecargas severas producidas por bobinas inductivas.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30K Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 28A optimizado para motores y sistemas de potencia pesados
El IRG4BC30K es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 28 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 16 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 58 A (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.2V (Típico a IC = 16A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 25 kHz (Banda de optimización de ruido) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30K
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Conducción Bipolar de Alta Tensión: Presenta una baja caída de tensión en saturación (VCE sat) a tensiones de hasta 600V, superando en eficiencia energética a MOSFETs de potencia comunes.
Optimizado para Control de Motores: Su diseño robusto mitiga los efectos nocivos de las corrientes parásitas transitorias y sobrecargas severas producidas por bobinas inductivas.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30K Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 28A optimizado para motores y sistemas de potencia pesados
El IRG4BC30K es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 28 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 16 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 58 A (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.2V (Típico a IC = 16A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 25 kHz (Banda de optimización de ruido) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30K
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Conducción Bipolar de Alta Tensión: Presenta una baja caída de tensión en saturación (VCE sat) a tensiones de hasta 600V, superando en eficiencia energética a MOSFETs de potencia comunes.
Optimizado para Control de Motores: Su diseño robusto mitiga los efectos nocivos de las corrientes parásitas transitorias y sobrecargas severas producidas por bobinas inductivas.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.
Aplicaciones Recomendadas
IRG4BC30K Transistor IGBT de Conmutación Ultra Rápida
Transistor bipolar de compuerta aislada de 600V y 28A optimizado para motores y sistemas de potencia pesados
El IRG4BC30K es un transistor bipolar de compuerta aislada de cuarta generación con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación inductiva de alta eficiencia. Al combinar la entrada de voltaje simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de corriente de un transistor bipolar, optimiza drásticamente los sistemas de potencia. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en inversores industriales, fuentes SMPS y balastros.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 28 A (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Corriente de colector nominal | 16 A (Evaluada a temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pulsada (ICM) | 58 A (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.2V (Típico a IC = 16A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 100 W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 51 nC (Típica para conmutación veloz) |
| Frecuencia de trabajo recomendada | 8 kHz a 25 kHz (Banda de optimización de ruido) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del IRG4BC30K
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de mando aislado no drena corriente continua de control, facilitando la interconexión con circuitos lógicos de disparo y optoacopladores.
Conducción Bipolar de Alta Tensión: Presenta una baja caída de tensión en saturación (VCE sat) a tensiones de hasta 600V, superando en eficiencia energética a MOSFETs de potencia comunes.
Optimizado para Control de Motores: Su diseño robusto mitiga los efectos nocivos de las corrientes parásitas transitorias y sobrecargas severas producidas por bobinas inductivas.
Disipación Térmica TO-220 Robusta: La aleta de fijación metálica trasera asegura una transferencia térmica inmediata hacia el aluminio utilizando almohadillas aislantes térmicas estándar.