IRFP250N TRANSISTOR MOSFET CANAL N
[IRFP250N] IRFP250N TRANSISTOR MOSFET CANAL N
Referencia Interna:
IRFP250N
Transistor NPN de Potencia en Encapsulado TO-247 - IRFP250N
El IRFP250N es un transistor bipolar NPN de potencia media, diseñado para trabajar en aplicaciones de amplificación y conmutación donde se requiere alta capacidad de corriente y estabilidad térmica. Es muy utilizado en etapas de potencia, fuentes conmutadas, amplificadores de audio, control de motores y sistemas industriales. Su encapsulado TO-247 permite una excelente disipación térmica mediante montaje con disipador, asegurando operación confiable incluso bajo cargas exigentes. Es ampliamente empleado en mantenimiento y reparación de equipos electrónicos de potencia, ofreciendo robustez, durabilidad y buen desempeño eléctrico en aplicaciones continuas.
Especificaciones Técnicas
| Tipo de dispositivo | Transistor BJT NPN de potencia |
|---|---|
| Encapsulado | TO-247 |
| Tensión colector-emisor (VCEO) | 200 V |
| Tensión colector-base (VCBO) | 200 V |
| Tensión emisor-base (VEBO) | 5 V |
| Corriente de colector (IC) | 30 A (máxima) |
| Corriente pico (ICM) | Hasta ~120 A (pulsos cortos, según hoja de datos) |
| Potencia de disipación (Ptot) | Hasta ~190 W (con disipador adecuado) |
| Ganancia DC (hFE) | Según fabricante y condiciones de operación |
| Frecuencia de transición (fT) | Adecuada para aplicaciones de potencia |
| VCE(sat) | Bajo, optimizado para conmutación eficiente |
| Configuración de pines | Gate - Drain - Source (verificar serigrafía) |
| Temperatura de operación | -55 °C a 150 °C |
Consultar ficha técnica (Datasheet)
Descarga la hoja de datos del IRFP250N para especificaciones completas, curvas y parámetros eléctricos.
Descargue su Datasheet (PDF)