IRF530N Transistor Mosfet Canal N 100V 17A TO-220
[IRF530N] IRF530N Transistor Mosfet Canal N 100V 17A TO-220
Referencia Interna:
IRF530N
Transistor NPN de Potencia en Encapsulado TO-126 - IRF530N
El IRF530N es un transistor bipolar NPN de potencia media, diseñado para trabajar en aplicaciones de amplificación y conmutación donde se requiere buena capacidad de corriente y estabilidad térmica. Es muy utilizado en etapas de audio, drivers de potencia, fuentes lineales, control de pequeñas cargas y módulos de automatización. Su encapsulado TO-126 permite fijación a disipador para mejorar la disipación de calor y mantener un funcionamiento estable en operación continua. Ofrece comportamiento confiable en diseños electrónicos de uso general, mantenimiento y reparación, además de ser una opción práctica en proyectos educativos por su disponibilidad y robustez. Cuando se monta correctamente, brinda desempeño consistente bajo condiciones exigentes.
Especificaciones Técnicas
| Tipo de dispositivo | Transistor BJT NPN de potencia media |
|---|---|
| Encapsulado | TO-126 |
| Tensión colector-emisor (VCEO) | 100 V |
| Tensión colector-base (VCBO) | 100 V |
| Tensión emisor-base (VEBO) | 5 V |
| Corriente de colector (IC) | 14 A (máxima) |
| Corriente pico (ICM) | Hasta ~28 A (pulsos cortos, según hoja de datos) |
| Potencia de disipación (Ptot) | Hasta ~88 W (con disipador adecuado) |
| Ganancia DC (hFE) | Según fabricante y condiciones de operación |
| Frecuencia de transición (fT) | Adecuada para conmutación de potencia |
| VCE(sat) | Bajo, optimizado para conmutación eficiente |
| Configuración de pines | Gate - Drain - Source (verificar serigrafía) |
| Temperatura de operación | -55 °C a 150 °C |
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