G20N50C Transistor IGBT 500V 20A G20N50C

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Referencia Interna: G20N50C

IGBT de Potencia - G20N50C

El G20N50C es un IGBT de potencia en encapsulado TO-247, diseñado para aplicaciones de media y alta potencia, incluyendo fuentes conmutadas, drivers de motores y sistemas de energía industrial. Capaz de manejar hasta 1000V y 40A de corriente, provee baja caída de voltaje y respuesta rápida, combinando la eficiencia de un MOSFET y la robustez de un transistor de potencia.

Especificaciones Técnicas

Tipo de dispositivo	IGBT de potencia
Encapsulado	TO-247
Tensión máxima (V_CES)	1000 V
Corriente máxima de colector (I_C)	40 A
V_GE máx.	±20 V
Pulsos pico de corriente (I_CM)	80 A
Resistencia R_CE(ON)	0.25 Ω típico
Caída de voltaje colector-emisor (V_CE(sat))	2.5 V típico
Temperatura de operación	-55 °C a 150 °C
Aplicaciones típicas	Conmutación de potencia, drivers, inversores, UPS, fuentes, motores
Compatibilidad de montaje	TO-247, disipador

Usos Comunes del G20N50C

• Sistemas de fuente conmutada: Alta eficiencia en fuentes de potencia industrial.
• Controladores y variadores de motores: Detección y accionamiento rápido.
• UPS e inversores industriales: Operación robusta y fiable.
• Cargadores de batería de alto voltaje: Sistemas industriales y automotrices.
• Automatización y energía renovable: Inversores solares/eólicos.
• Electrónica de potencia avanzada: Proyectos educativos y de ingeniería.

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