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- G20N50C Transistor IGBT 500V 20A G20N50C [G20N50C] G20N50C Transistor IGBT 500V 20A G20N50C
G20N50C Transistor IGBT 500V 20A G20N50C
[G20N50C] G20N50C Transistor IGBT 500V 20A G20N50C
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G20N50C
G20N50C Transistor IGBT de Ultra Alta Velocidad
Transistor bipolar de compuerta aislada de 500V y 20A optimizado para fuentes conmutadas y balastros
El G20N50C es un transistor bipolar de compuerta aislada de tecnología avanzada con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación de alta frecuencia y potencia media. Al unificar la entrada simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de conducción de un transistor bipolar, optimiza el rendimiento en inversores de voltaje. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en disipadores para balastros electrónicos y sistemas SMPS industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCE) | 500V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 20 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Típico a IC = 20A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 165W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 60 nC (Típica para disparo rápido) |
| Tiempo de caída (Fall Time) | 140 ns (Rendimiento en conmutación inductiva) |
| Frecuencia de trabajo sugerida | Hasta 50 kHz (Optimizado para alta velocidad) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del G20N50C
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, haciendo sumamente simple su acoplamiento lógico digital.
Conducción Bipolar Eficiente: Logra caídas de tensión en saturación (VCE sat) muy bajas en comparación con MOSFETs ordinarios a tensiones equivalentes de 500V.
Diseño Field Stop de Alta Velocidad: Su estructura interna acorta drásticamente el tiempo de cola (tail current), permitiendo operar a frecuencias dinámicas de conmutación elevadas.
Excelente Disipación Térmica TO-220: La pestaña metálica unida directamente al colector evacúa eficientemente el calor residual utilizando grasa de silicona convencional.
Aplicaciones Recomendadas
G20N50C Transistor IGBT de Ultra Alta Velocidad
Transistor bipolar de compuerta aislada de 500V y 20A optimizado para fuentes conmutadas y balastros
El G20N50C es un transistor bipolar de compuerta aislada de tecnología avanzada con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación de alta frecuencia y potencia media. Al unificar la entrada simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de conducción de un transistor bipolar, optimiza el rendimiento en inversores de voltaje. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en disipadores para balastros electrónicos y sistemas SMPS industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCE) | 500V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 20 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Típico a IC = 20A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 165W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 60 nC (Típica para disparo rápido) |
| Tiempo de caída (Fall Time) | 140 ns (Rendimiento en conmutación inductiva) |
| Frecuencia de trabajo sugerida | Hasta 50 kHz (Optimizado para alta velocidad) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del G20N50C
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, haciendo sumamente simple su acoplamiento lógico digital.
Conducción Bipolar Eficiente: Logra caídas de tensión en saturación (VCE sat) muy bajas en comparación con MOSFETs ordinarios a tensiones equivalentes de 500V.
Diseño Field Stop de Alta Velocidad: Su estructura interna acorta drásticamente el tiempo de cola (tail current), permitiendo operar a frecuencias dinámicas de conmutación elevadas.
Excelente Disipación Térmica TO-220: La pestaña metálica unida directamente al colector evacúa eficientemente el calor residual utilizando grasa de silicona convencional.
Aplicaciones Recomendadas
G20N50C Transistor IGBT de Ultra Alta Velocidad
Transistor bipolar de compuerta aislada de 500V y 20A optimizado para fuentes conmutadas y balastros
El G20N50C es un transistor bipolar de compuerta aislada de tecnología avanzada con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación de alta frecuencia y potencia media. Al unificar la entrada simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de conducción de un transistor bipolar, optimiza el rendimiento en inversores de voltaje. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en disipadores para balastros electrónicos y sistemas SMPS industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCE) | 500V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 20 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Típico a IC = 20A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia total (PD) | 165W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 60 nC (Típica para disparo rápido) |
| Tiempo de caída (Fall Time) | 140 ns (Rendimiento en conmutación inductiva) |
| Frecuencia de trabajo sugerida | Hasta 50 kHz (Optimizado para alta velocidad) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Cuerpo plástico clásico con pestaña metálica posterior) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del G20N50C
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, haciendo sumamente simple su acoplamiento lógico digital.
Conducción Bipolar Eficiente: Logra caídas de tensión en saturación (VCE sat) muy bajas en comparación con MOSFETs ordinarios a tensiones equivalentes de 500V.
Diseño Field Stop de Alta Velocidad: Su estructura interna acorta drásticamente el tiempo de cola (tail current), permitiendo operar a frecuencias dinámicas de conmutación elevadas.
Excelente Disipación Térmica TO-220: La pestaña metálica unida directamente al colector evacúa eficientemente el calor residual utilizando grasa de silicona convencional.
Aplicaciones Recomendadas
G20N50C Transistor IGBT de Ultra Alta Velocidad
Transistor bipolar de compuerta aislada de 500V y 20A optimizado para fuentes conmutadas y balastros
El G20N50C es un transistor bipolar de compuerta aislada de tecnología avanzada con estructura IGBT, diseñado para circuitos de conmutación de alta frecuencia y potencia media. Al unificar la entrada simple de un MOSFET junto a la gran capacidad de conducción de un transistor bipolar, optimiza el rendimiento en inversores de voltaje. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en disipadores para balastros electrónicos y sistemas SMPS industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N (Compuerta Aislada) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCE) | 500V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGE) | ±20V (Límite superior absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 20 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector nominal | 40 A (Evaluada a temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.0V (Típico a IC = 20A, VGE = 15V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 165W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Carga de compuerta total (Qg) | 60 nC (Típica para disparo rápido) |
| Tiempo de caída (Fall Time) | 140 ns (Rendimiento en conmutación inductiva) |
| Frecuencia de trabajo sugerida | Hasta 50 kHz (Optimizado para alta velocidad) |
| Encapsulado estándar | TO-220AB (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Aislado) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Corriente de Carga / Pestaña posterior | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Referencia de Control | Derecha |
Ventajas del G20N50C
Impedancia de Entrada MOSFET: El canal de compuerta aislado por óxido no consume corriente continua de control, haciendo sumamente simple su acoplamiento lógico digital.
Conducción Bipolar Eficiente: Logra caídas de tensión en saturación (VCE sat) muy bajas en comparación con MOSFETs ordinarios a tensiones equivalentes de 500V.
Diseño Field Stop de Alta Velocidad: Su estructura interna acorta drásticamente el tiempo de cola (tail current), permitiendo operar a frecuencias dinámicas de conmutación elevadas.
Excelente Disipación Térmica TO-220: La pestaña metálica unida directamente al colector evacúa eficientemente el calor residual utilizando grasa de silicona convencional.