FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida
[FGH60N60SMD] FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida
Referencia Interna:
FGH60N60SMD
IGBT 60A / 600V - FGH60N60SMD
El FGH60N60SMD es un transistor IGBT de tecnología Field Stop diseñado para ofrecer un rendimiento excepcional en circuitos de conmutación de alta potencia. Con una robusta capacidad de 600 Voltios y una corriente de colector de 60 Amperios, este dispositivo minimiza las pérdidas por conmutación y conducción, optimizando la eficiencia energética global del sistema.
Este componente incluye un diodo de recuperación rápida integrado (anti-paralelo), lo que lo hace ideal para aplicaciones de conmutación dura y suave. Su encapsulado TO-247 garantiza una excelente gestión térmica, permitiendo operar en entornos industriales exigentes como inversores solares y sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS).
Especificaciones Técnicas
| Tipo de dispositivo | IGBT con Diodo de Recuperación Rápida |
|---|---|
| Modelo | FGH60N60SMD |
| Voltaje Colector-Emisor (\( V_{CES} \)) | 600 V |
| Corriente de Colector (\( I_C \)) | 60 A (@ \( T_C = 100^\circ C \)) |
| Voltaje de Saturación (\( V_{CE(sat)} \)) | 1.9 V (Típico) |
| Energía de Conmutación (\( E_{off} \)) | Baja (Optimizado para altas frecuencias) |
| Encapsulado | TO-247 |
| Temperatura de Operación | -55 °C a +175 °C |
| Corriente de Pulsada (\( I_{CM} \)) | 180 A |
| Tipo de Montaje | Through-Hole (THT) |
Documentación Técnica del FGH60N60SMD
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