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- FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida [FGH60N60SMD] FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida
FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida
[FGH60N60SMD] FGH60N60SMD Transistor IGBT + Diodo 600V 60A, Alta Potencia y Conmutación Rápida
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FGH60N60SMD
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Paquete plástico masivo de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
Aplicaciones Recomendadas
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
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Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Paquete plástico masivo de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
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Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
Aplicaciones Recomendadas
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Paquete plástico masivo de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
Aplicaciones Recomendadas
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
Aplicaciones Recomendadas
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Paquete plástico masivo de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.
Aplicaciones Recomendadas
FGH60N60SMD Transistor IGBT Field Stop de Potencia
Transistor bipolar de puerta aislada de 600V y 60A con diodo de recuperación rápida integrado
El FGH60N60SMD es un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de potencia, diseñado con tecnología Field Stop de vanguardia para conmutación de alta eficiencia. Su estructura interna minimiza extraordinariamente las pérdidas por conducción, optimizando su rendimiento en inversores solares y soldadoras industriales. Su encapsulado masivo TO-247 integra un diodo de recuperación rápida, garantizando una disipación térmica insuperable y máxima confiabilidad en sistemas de alta frecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del semiconductor | IGBT de Canal N con Diodo Anti-paralelo |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de ruptura operativa) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto transitorio) |
| Corriente de colector continua (IC) | 60 A (A temperatura de carcasa TC = 100°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 180 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 W (Montado con disipador masivo a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.9V (Típico a IC = 60A, VGE = 15V) |
| Energía de conmutación total (Ets) | 1.4 mJ (Típica a IC = 30A, TC = 25°C) |
| Corriente de diodo directo (IF) | 30 A (Corriente continua de recuperación TC = 100°C) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50 ns (Respuesta ultra rápida del diodo interno) |
| Encapsulado estándar | TO-247 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal, pines hacia abajo) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Compuerta (G) | Entrada de Señal de Disparo por Voltaje (Lógica aislada) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Entrada de Alta Corriente de Carga / Bus DC | Centro (Conectado a la aleta metálica posterior) |
| Pin 3 | Emisor (E) | Salida de Corriente y Referencia de la Compuerta | Derecha |
Ventajas del FGH60N60SMD
Tecnología Field Stop Avanzada: Garantiza una distribución paramétrica estrecha y alta robustez ante avalanchas, minimizando la pérdida de energía durante los ciclos de conmutación veloces.
Coeficiente de Temperatura Positivo: Su comportamiento térmico facilita la conexión en paralelo de múltiples dispositivos sin riesgo de fuga térmica (thermal runaway), ideal para inversores masivos.
Diodo FRD Soft-Recovery Integrado: El diodo anti-paralelo de 50 ns reduce el ruido electromagnético y las sobretensiones destructivas al apagar cargas altamente inductivas como motores.
Soporte Extremo de Corriente (180A Pico): Su enorme capacidad de conducción tolera exigencias extremas transitorias, ofreciendo seguridad absoluta en fuentes industriales y equipos de soldadura de arco.