- Todos los productos
- Transistores
- DM2G100SH6A Modulo IGBT DOW DM2G100SH6A [DM2G100SH6A] DM2G100SH6A Modulo IGBT DOW DM2G100SH6A
DM2G100SH6A Modulo IGBT DOW DM2G100SH6A
[DM2G100SH6A] DM2G100SH6A Modulo IGBT DOW DM2G100SH6A
https://electrofranko.com/shop/dm2g100sh6a-dm2g100sh6a-modulo-igbt-dow-dm2g100sh6a-3361 https://electrofranko.com/web/image/product.template/3361/image_1920?unique=3639216
Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales
Referencia Interna:
DM2G100SH6A
DM2G100SH6A Módulo IGBT de Potencia Medio Puente
Módulo IGBT de silicio de 100A y 600V diseñado para inversores industriales y control de motores
El DM2G100SH6A es un módulo IGBT de gran potencia de medio puente fabricado por DAWIN Electronics, diseñado para operar en inversores y soldadoras de alta eficiencia. Su arquitectura de silicio soporta conmutaciones de gran amperaje y tensiones industriales críticas con mínimas pérdidas de conducción. Su robusto encapsulado en bloque estándar asegura una excelente disipación térmica, facilitando su montaje directo en estaciones de control de motores.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Módulo IGBT de Medio Puente (Half-Bridge) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto inverso y directo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 100 A (A temperatura de carcasa TC = 80°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 200 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 400 W (Aproximada a temperatura TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 100A, VGE = 15V) |
| Corriente de fuga del colector (ICES) | 1.0 mA (Máxima a VCE = 600V, VGE = 0V) |
| Capacitancia de entrada (Cies) | 9.0 nF (Típica a VCE = 25V, VGE = 0V) |
| Voltaje de aislamiento interno (Viso) | 2500V (Voltaje RMS de aislamiento CA por 1 minuto) |
| Encapsulado estándar | Módulo de bloque industrial de terminales roscados |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Terminal | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior del módulo) |
|---|---|---|---|
| Terminal 1 | Colector 1 (C1) | Conexión de Alta Tensión al Bus DC Positivo (+VCC) | Tornillo Principal Superior |
| Terminal 2 | Emisor 1 / Colector 2 (E1/C2) | Punto Medio de Conmutación hacia la Carga (CA) | Tornillo Principal Central |
| Terminal 3 | Emisor 2 (E2) | Conexión de Retorno al Bus DC Negativo (-VCC / GND) | Tornillo Principal Inferior |
| Pines G1 / E1 | Compuerta 1 y Emisor Aux 1 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Superior (High-Side) | Conectores de Señal Superiores |
| Pines G2 / E2 | Compuerta 2 y Emisor Aux 2 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Inferior (Low-Side) | Conectores de Señal Inferiores |
Ventajas del DM2G100SH6A
Soporte de Alta Corriente (100A): Permite manejar cargas industriales extremas de manera continua, ideal para inversores de soldadura y variadores de frecuencia.
Conmutación Eficiente de 600V: Su arquitectura IGBT de trinchera reduce drásticamente las pérdidas por conducción y conmutación en sistemas de potencia.
Medio Puente Integrado: Al integrar dos transistores IGBT con diodos de recuperación rápida (FRD) anti-paralelos en un solo módulo, simplifica el diseño del inversor.
Disipación Térmica Industrial: Su gran placa base de cobre aislada asegura un contacto perfecto con disipadores masivos, aislando eléctricamente hasta 2500V.
Aplicaciones Recomendadas
DM2G100SH6A Módulo IGBT de Potencia Medio Puente
Módulo IGBT de silicio de 100A y 600V diseñado para inversores industriales y control de motores
El DM2G100SH6A es un módulo IGBT de gran potencia de medio puente fabricado por DAWIN Electronics, diseñado para operar en inversores y soldadoras de alta eficiencia. Su arquitectura de silicio soporta conmutaciones de gran amperaje y tensiones industriales críticas con mínimas pérdidas de conducción. Su robusto encapsulado en bloque estándar asegura una excelente disipación térmica, facilitando su montaje directo en estaciones de control de motores.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Módulo IGBT de Medio Puente (Half-Bridge) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto inverso y directo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 100 A (A temperatura de carcasa TC = 80°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 200 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 400 W (Aproximada a temperatura TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 100A, VGE = 15V) |
| Corriente de fuga del colector (ICES) | 1.0 mA (Máxima a VCE = 600V, VGE = 0V) |
| Capacitancia de entrada (Cies) | 9.0 nF (Típica a VCE = 25V, VGE = 0V) |
| Voltaje de aislamiento interno (Viso) | 2500V (Voltaje RMS de aislamiento CA por 1 minuto) |
| Encapsulado estándar | Módulo de bloque industrial de terminales roscados |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Terminal | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior del módulo) |
|---|---|---|---|
| Terminal 1 | Colector 1 (C1) | Conexión de Alta Tensión al Bus DC Positivo (+VCC) | Tornillo Principal Superior |
| Terminal 2 | Emisor 1 / Colector 2 (E1/C2) | Punto Medio de Conmutación hacia la Carga (CA) | Tornillo Principal Central |
| Terminal 3 | Emisor 2 (E2) | Conexión de Retorno al Bus DC Negativo (-VCC / GND) | Tornillo Principal Inferior |
| Pines G1 / E1 | Compuerta 1 y Emisor Aux 1 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Superior (High-Side) | Conectores de Señal Superiores |
| Pines G2 / E2 | Compuerta 2 y Emisor Aux 2 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Inferior (Low-Side) | Conectores de Señal Inferiores |
Ventajas del DM2G100SH6A
Soporte de Alta Corriente (100A): Permite manejar cargas industriales extremas de manera continua, ideal para inversores de soldadura y variadores de frecuencia.
Conmutación Eficiente de 600V: Su arquitectura IGBT de trinchera reduce drásticamente las pérdidas por conducción y conmutación en sistemas de potencia.
Medio Puente Integrado: Al integrar dos transistores IGBT con diodos de recuperación rápida (FRD) anti-paralelos en un solo módulo, simplifica el diseño del inversor.
Disipación Térmica Industrial: Su gran placa base de cobre aislada asegura un contacto perfecto con disipadores masivos, aislando eléctricamente hasta 2500V.
Aplicaciones Recomendadas
DM2G100SH6A Módulo IGBT de Potencia Medio Puente
Módulo IGBT de silicio de 100A y 600V diseñado para inversores industriales y control de motores
El DM2G100SH6A es un módulo IGBT de gran potencia de medio puente fabricado por DAWIN Electronics, diseñado para operar en inversores y soldadoras de alta eficiencia. Su arquitectura de silicio soporta conmutaciones de gran amperaje y tensiones industriales críticas con mínimas pérdidas de conducción. Su robusto encapsulado en bloque estándar asegura una excelente disipación térmica, facilitando su montaje directo en estaciones de control de motores.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Módulo IGBT de Medio Puente (Half-Bridge) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto inverso y directo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 100 A (A temperatura de carcasa TC = 80°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 200 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 400 W (Aproximada a temperatura TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 100A, VGE = 15V) |
| Corriente de fuga del colector (ICES) | 1.0 mA (Máxima a VCE = 600V, VGE = 0V) |
| Capacitancia de entrada (Cies) | 9.0 nF (Típica a VCE = 25V, VGE = 0V) |
| Voltaje de aislamiento interno (Viso) | 2500V (Voltaje RMS de aislamiento CA por 1 minuto) |
| Encapsulado estándar | Módulo de bloque industrial de terminales roscados |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Terminal | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior del módulo) |
|---|---|---|---|
| Terminal 1 | Colector 1 (C1) | Conexión de Alta Tensión al Bus DC Positivo (+VCC) | Tornillo Principal Superior |
| Terminal 2 | Emisor 1 / Colector 2 (E1/C2) | Punto Medio de Conmutación hacia la Carga (CA) | Tornillo Principal Central |
| Terminal 3 | Emisor 2 (E2) | Conexión de Retorno al Bus DC Negativo (-VCC / GND) | Tornillo Principal Inferior |
| Pines G1 / E1 | Compuerta 1 y Emisor Aux 1 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Superior (High-Side) | Conectores de Señal Superiores |
| Pines G2 / E2 | Compuerta 2 y Emisor Aux 2 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Inferior (Low-Side) | Conectores de Señal Inferiores |
Ventajas del DM2G100SH6A
Soporte de Alta Corriente (100A): Permite manejar cargas industriales extremas de manera continua, ideal para inversores de soldadura y variadores de frecuencia.
Conmutación Eficiente de 600V: Su arquitectura IGBT de trinchera reduce drásticamente las pérdidas por conducción y conmutación en sistemas de potencia.
Medio Puente Integrado: Al integrar dos transistores IGBT con diodos de recuperación rápida (FRD) anti-paralelos en un solo módulo, simplifica el diseño del inversor.
Disipación Térmica Industrial: Su gran placa base de cobre aislada asegura un contacto perfecto con disipadores masivos, aislando eléctricamente hasta 2500V.
Aplicaciones Recomendadas
DM2G100SH6A Módulo IGBT de Potencia Medio Puente
Módulo IGBT de silicio de 100A y 600V diseñado para inversores industriales y control de motores
El DM2G100SH6A es un módulo IGBT de gran potencia de medio puente fabricado por DAWIN Electronics, diseñado para operar en inversores y soldadoras de alta eficiencia. Su arquitectura de silicio soporta conmutaciones de gran amperaje y tensiones industriales críticas con mínimas pérdidas de conducción. Su robusto encapsulado en bloque estándar asegura una excelente disipación térmica, facilitando su montaje directo en estaciones de control de motores.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | Módulo IGBT de Medio Puente (Half-Bridge) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCES) | 600V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Compuerta-Emisor (VGES) | ±20V (Límite absoluto inverso y directo) |
| Corriente de colector continua (IC) | 100 A (A temperatura de carcasa TC = 80°C) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 200 A (Corriente máxima pulsada transitoria) |
| Disipación de potencia total (PD) | 400 W (Aproximada a temperatura TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 2.1V (Típico a IC = 100A, VGE = 15V) |
| Corriente de fuga del colector (ICES) | 1.0 mA (Máxima a VCE = 600V, VGE = 0V) |
| Capacitancia de entrada (Cies) | 9.0 nF (Típica a VCE = 25V, VGE = 0V) |
| Voltaje de aislamiento interno (Viso) | 2500V (Voltaje RMS de aislamiento CA por 1 minuto) |
| Encapsulado estándar | Módulo de bloque industrial de terminales roscados |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Terminal | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior del módulo) |
|---|---|---|---|
| Terminal 1 | Colector 1 (C1) | Conexión de Alta Tensión al Bus DC Positivo (+VCC) | Tornillo Principal Superior |
| Terminal 2 | Emisor 1 / Colector 2 (E1/C2) | Punto Medio de Conmutación hacia la Carga (CA) | Tornillo Principal Central |
| Terminal 3 | Emisor 2 (E2) | Conexión de Retorno al Bus DC Negativo (-VCC / GND) | Tornillo Principal Inferior |
| Pines G1 / E1 | Compuerta 1 y Emisor Aux 1 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Superior (High-Side) | Conectores de Señal Superiores |
| Pines G2 / E2 | Compuerta 2 y Emisor Aux 2 | Entrada de Señal de Disparo para el IGBT Inferior (Low-Side) | Conectores de Señal Inferiores |
Ventajas del DM2G100SH6A
Soporte de Alta Corriente (100A): Permite manejar cargas industriales extremas de manera continua, ideal para inversores de soldadura y variadores de frecuencia.
Conmutación Eficiente de 600V: Su arquitectura IGBT de trinchera reduce drásticamente las pérdidas por conducción y conmutación en sistemas de potencia.
Medio Puente Integrado: Al integrar dos transistores IGBT con diodos de recuperación rápida (FRD) anti-paralelos en un solo módulo, simplifica el diseño del inversor.
Disipación Térmica Industrial: Su gran placa base de cobre aislada asegura un contacto perfecto con disipadores masivos, aislando eléctricamente hasta 2500V.