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BD137 TRANSISTOR NPN USO GENERAL
[BD137] BD137 TRANSISTOR NPN USO GENERAL
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Transistor epitaxial de potencia media para aplicaciones de conmutación robusta y etapas lógicas
El BD137 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura NPN, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación intermedia. Su arquitectura le permite soportar tensiones de colector de hasta 60V, ofreciendo un margen de protección superior frente al modelo BD135. Su encapsulado plástico plano garantiza una transferencia térmica óptima en proyectos industriales y robóticos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 0.5 A (500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.5V (Máximo a IC = 0.5A, IB = 0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Plástico plano con orificio de fijación) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Derecha |
Ventajas del BD137
Soporte Extendido de Voltaje (60V): Ofrece un umbral de ruptura superior en comparación con el BD135, incrementando la confiabilidad del sistema ante picos transitorios accidentales.
Manejo de Corriente Consistente (1.5A): Supera a los transistores pequeños de señal, permitiendo gobernar actuadores de nivel medio como motores pequeños y lámparas con total soltura.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura PNP, el transistor BD138, facilitando el diseño de etapas Push-Pull balanceadas.
Encapsulado TO-126 Práctico: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado firme y directo sobre disipadores térmicos para disipar con seguridad hasta 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD137 Transistor de Potencia Media NPN de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para aplicaciones de conmutación robusta y etapas lógicas
El BD137 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura NPN, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación intermedia. Su arquitectura le permite soportar tensiones de colector de hasta 60V, ofreciendo un margen de protección superior frente al modelo BD135. Su encapsulado plástico plano garantiza una transferencia térmica óptima en proyectos industriales y robóticos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 0.5 A (500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.5V (Máximo a IC = 0.5A, IB = 0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Derecha |
Ventajas del BD137
Soporte Extendido de Voltaje (60V): Ofrece un umbral de ruptura superior en comparación con el BD135, incrementando la confiabilidad del sistema ante picos transitorios accidentales.
Manejo de Corriente Consistente (1.5A): Supera a los transistores pequeños de señal, permitiendo gobernar actuadores de nivel medio como motores pequeños y lámparas con total soltura.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura PNP, el transistor BD138, facilitando el diseño de etapas Push-Pull balanceadas.
Encapsulado Técnico de Disipación: Su diseño plano con perforación central permite un atornillado directo y firme sobre disipadores térmicos de aluminio para evacuar de manera segura hasta 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD137 Transistor de Potencia Media NPN de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para aplicaciones de conmutación robusta y etapas lógicas
El BD137 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura NPN, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación intermedia. Su arquitectura le permite soportar tensiones de colector de hasta 60V, ofreciendo un margen de protección superior frente al modelo BD135. Su encapsulado plástico plano garantiza una transferencia térmica óptima en proyectos industriales y robóticos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 0.5 A (500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.5V (Máximo a IC = 0.5A, IB = 0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Plástico plano con orificio de fijación) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Derecha |
Ventajas del BD137
Soporte Extendido de Voltaje (60V): Ofrece un umbral de ruptura superior en comparación con el BD135, incrementando la confiabilidad del sistema ante picos transitorios accidentales.
Manejo de Corriente Consistente (1.5A): Supera a los transistores pequeños de señal, permitiendo gobernar actuadores de nivel medio como motores pequeños y lámparas con total soltura.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura PNP, el transistor BD138, facilitando el diseño de etapas Push-Pull balanceadas.
Encapsulado TO-126 Práctico: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado firme y directo sobre disipadores térmicos para disipar con seguridad hasta 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD137 Transistor de Potencia Media NPN de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para aplicaciones de conmutación robusta y etapas lógicas
El BD137 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura NPN, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación intermedia. Su arquitectura le permite soportar tensiones de colector de hasta 60V, ofreciendo un margen de protección superior frente al modelo BD135. Su encapsulado plástico plano garantiza una transferencia térmica óptima en proyectos industriales y robóticos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | 3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | 0.5 A (500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.5V (Máximo a IC = 0.5A, IB = 0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Derecha |
Ventajas del BD137
Soporte Extendido de Voltaje (60V): Ofrece un umbral de ruptura superior en comparación con el BD135, incrementando la confiabilidad del sistema ante picos transitorios accidentales.
Manejo de Corriente Consistente (1.5A): Supera a los transistores pequeños de señal, permitiendo gobernar actuadores de nivel medio como motores pequeños y lámparas con total soltura.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura PNP, el transistor BD138, facilitando el diseño de etapas Push-Pull balanceadas.
Encapsulado Técnico de Disipación: Su diseño plano con perforación central permite un atornillado directo y firme sobre disipadores térmicos de aluminio para evacuar de manera segura hasta 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales
Referencia Interna:
BD137