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BD136 TRANSISTOR PNP USO GENERAL TO-126
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Transistor epitaxial de potencia media para etapas complementarias de audio y conmutación del lado alto
El BD136 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura PNP, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación del lado alto. Al ser de polaridad inversa, funciona como el complemento simétrico perfecto del transistor NPN BD135, permitiendo diseñar etapas de potencia balanceadas. Su empaque plano plano asegura una disipación térmica eficiente en automatización e instrumentación industrial.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -45V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -45V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | -3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | -0.5 A (-500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -0.5A, IB = -0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Plástico plano con orificio de fijación) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Derecha |
Ventajas del BD136
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Capacidad de Corriente de 1.5A: Ofrece un control robusto para cargas medianas, superando con holgura las limitaciones eléctricas de los pequeños transistores de señal estándar.
Pareja Complementaria Perfecta: Brinda parámetros analógicos idénticos e invertidos al transistor NPN BD135, configuración indispensable para el desarrollo de etapas de salida Push-Pull.
Encapsulado TO-126 Eficiente: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado directo sobre disipadores de aluminio, evacuando eficazmente calor hasta los 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD136 Transistor de Potencia Media PNP de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para etapas complementarias de audio y conmutación del lado alto
El BD136 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura PNP, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación de alta eficiencia. Al ser de polaridad inversa, funciona como el complemento simétrico perfecto del transistor NPN BD135, permitiendo diseñar etapas de potencia balanceadas. Su empaque plano plano asegura una disipación térmica eficiente en automatización e instrumentación industrial.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -45V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -45V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | -3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | -0.5 A (-500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -0.5A, IB = -0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Derecha |
Ventajas del BD136
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Capacidad de Corriente de 1.5A: Ofrece un control robusto para cargas medianas, superando con holgura las limitaciones eléctricas de los pequeños transistores de señal estándar.
Pareja Complementaria Perfecta: Brinda parámetros analógicos idénticos e invertidos al transistor NPN BD135, configuración indispensable para el desarrollo de etapas de salida Push-Pull.
Encapsulado Técnico de Disipación: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado directo sobre disipadores de aluminio, evacuando eficazmente calor hasta los 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD136 Transistor de Potencia Media PNP de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para etapas complementarias de audio y conmutación del lado alto
El BD136 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura PNP, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación del lado alto. Al ser de polaridad inversa, funciona como el complemento simétrico perfecto del transistor NPN BD135, permitiendo diseñar etapas de potencia balanceadas. Su empaque plano plano asegura una disipación térmica eficiente en automatización e instrumentación industrial.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -45V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -45V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | -3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | -0.5 A (-500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -0.5A, IB = -0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Plástico plano con orificio de fijación) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Derecha |
Ventajas del BD136
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Capacidad de Corriente de 1.5A: Ofrece un control robusto para cargas medianas, superando con holgura las limitaciones eléctricas de los pequeños transistores de señal estándar.
Pareja Complementaria Perfecta: Brinda parámetros analógicos idénticos e invertidos al transistor NPN BD135, configuración indispensable para el desarrollo de etapas de salida Push-Pull.
Encapsulado TO-126 Eficiente: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado directo sobre disipadores de aluminio, evacuando eficazmente calor hasta los 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
BD136 Transistor de Potencia Media PNP de Silicio
Transistor epitaxial de potencia media para etapas complementarias de audio y conmutación del lado alto
El BD136 es un transistor epitaxial de potencia media de silicio con estructura PNP, diseñado para operar en circuitos de amplificación lineal y conmutación de alta eficiencia. Al ser de polaridad inversa, funciona como el complemento simétrico perfecto del transistor NPN BD135, permitiendo diseñar etapas de potencia balanceadas. Su empaque plano plano asegura una disipación térmica eficiente en automatización e instrumentación industrial.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -45V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -45V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -1.5 A |
| Corriente de colector pico (ICM) | -3 A (Pulsada) |
| Corriente de base continua (IB) | -0.5 A (-500 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 40 a 250 (Clasificado por subgrupos) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 12.5W (Con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -0.5A, IB = -0.05A) |
| Encapsulado estándar | SOT-32 / TO-126 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista frontal) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Izquierda |
| Pin 2 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Respaldo Metálico | Centro |
| Pin 3 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Derecha |
Ventajas del BD136
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Capacidad de Corriente de 1.5A: Ofrece un control robusto para cargas medianas, superando con holgura las limitaciones eléctricas de los pequeños transistores de señal estándar.
Pareja Complementaria Perfecta: Brinda parámetros analógicos idénticos e invertidos al transistor NPN BD135, configuración indispensable para el desarrollo de etapas de salida Push-Pull.
Encapsulado Técnico de Disipación: Su diseño de cuerpo plano con perforación central permite un atornillado directo sobre disipadores de aluminio, evacuando eficazmente calor hasta los 12.5W.
Aplicaciones Recomendadas
Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales
Referencia Interna:
BD136