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TRANSISTOR PNP USO GENERAL
[BC559] TRANSISTOR PNP USO GENERAL
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Referencia Interna:
BC559
BC559 Transistor PNP de Ultra Bajo Ruido
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal optimizado para preamplificación acústica crítica
El BC559 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado específicamente para circuitos que demandan un factor de ruido extremadamente bajo. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas sin distorsión apreciable en la etapa primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de alta fidelidad y laboratorios de audio.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -30V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -30V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -100 mA (-0.1 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | -200 mA (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 200 a 800 (Subgrupos de alta ganancia B/C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 1.2 dB (Típico) a 4 dB (Máximo a f = 1kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 150 MHz (Mínimo en zona activa) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Derecha |
Ventajas del BC559
Factor de Ruido Ultra Reducido: Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando al estándar BC557 en fidelidad y nitidez analógica.
Linealidad de Ganancia Excepcional: Ofrece un comportamiento predictivo sumamente estable en la amplificación de ondas sinusoidales pequeñas de muy baja tensión eléctrica.
Conmutación Eficiente High-Side: Al ser un dispositivo de estructura PNP, simplifica el ruteo lógico para interrumpir la corriente en líneas positivas hacia cargas con masa común.
Pareja Complementaria Nativa: Cuenta con un equivalente simétrico exacto de estructura NPN en el transistor BC549, ideal para ruter preamplificadores balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
BC559 Transistor PNP de Ultra Bajo Ruido
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal optimizado para preamplificación acústica crítica
El BC559 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado específicamente para circuitos que demandan un factor de ruido extremadamente bajo. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas sin distorsión apreciable en la etapa primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de alta fidelidad y laboratorios de audio.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -30V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -30V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -100 mA (-0.1 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | -200 mA (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 200 a 800 (Subgrupos de alta ganancia B/C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 1.2 dB (Típico) a 4 dB (Máximo a f = 1kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 150 MHz (Mínimo en zona activa) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Derecha |
Ventajas del BC559
Factor de Ruido Ultra Reducido: Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando al estándar BC557 en fidelidad y nitidez analógica.
Linealidad de Ganancia Excepcional: Ofrece un comportamiento predictivo sumamente estable en la amplificación de ondas sinusoidales pequeñas de muy baja tensión eléctrica.
Conmutación Eficiente High-Side: Al ser un dispositivo de estructura PNP, simplifica el ruteo lógico para interrumpir la corriente en líneas positivas hacia cargas con masa común.
Pareja Complementaria Nativa: Cuenta con un equivalente simétrico exacto de estructura NPN en el transistor BC549, ideal para ruter preamplificadores balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
BC559 Transistor PNP de Ultra Bajo Ruido
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal optimizado para preamplificación acústica crítica
El BC559 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado específicamente para circuitos que demandan un factor de ruido extremadamente bajo. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas sin distorsión apreciable en la etapa primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de alta fidelidad y laboratorios de audio.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -30V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -30V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -100 mA (-0.1 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | -200 mA (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 200 a 800 (Subgrupos de alta ganancia B/C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 1.2 dB (Típico) a 4 dB (Máximo a f = 1kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 150 MHz (Mínimo en zona activa) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Derecha |
Ventajas del BC559
Factor de Ruido Ultra Reducido: Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando al estándar BC557 en fidelidad y nitidez analógica.
Linealidad de Ganancia Excepcional: Ofrece un comportamiento predictivo sumamente estable en la amplificación de ondas sinusoidales pequeñas de muy baja tensión eléctrica.
Conmutación Eficiente High-Side: Al ser un dispositivo de estructura PNP, simplifica el ruteo lógico para interrumpir la corriente en líneas positivas hacia cargas con masa común.
Pareja Complementaria Nativa: Cuenta con un equivalente simétrico exacto de estructura NPN en el transistor BC549, ideal para ruter preamplificadores balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
BC559 Transistor PNP de Ultra Bajo Ruido
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal optimizado para preamplificación acústica crítica
El BC559 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado específicamente para circuitos que demandan un factor de ruido extremadamente bajo. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas sin distorsión apreciable en la etapa primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de alta fidelidad y laboratorios de audio.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -30V (Máximo) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -30V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -100 mA (-0.1 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | -200 mA (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 200 a 800 (Subgrupos de alta ganancia B/C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 1.2 dB (Típico) a 4 dB (Máximo a f = 1kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 150 MHz (Mínimo en zona activa) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro |
| Pin 3 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Derecha |
Ventajas del BC559
Factor de Ruido Ultra Reducido: Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando al estándar BC557 en fidelidad y nitidez analógica.
Linealidad de Ganancia Excepcional: Ofrece un comportamiento predictivo sumamente estable en la amplificación de ondas sinusoidales pequeñas de muy baja tensión eléctrica.
Conmutación Eficiente High-Side: Al ser un dispositivo de estructura PNP, simplifica el ruteo lógico para interrumpir la corriente en líneas positivas hacia cargas con masa común.
Pareja Complementaria Nativa: Cuenta con un equivalente simétrico exacto de estructura NPN en el transistor BC549, ideal para ruter preamplificadores balanceados.