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74LS189 Memoria RAM de 64 Bits Circuito TTL
[74LS189] 74LS189 Memoria RAM de 64 Bits Circuito TTL
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Referencia Interna:
74LS189
74LS189 64-Bit Random Access Memory
Memoria de acceso aleatorio con salidas invertidas de tercer estado
El 74LS189 es un circuito integrado de la familia lógica TTL que funciona como una memoria de acceso aleatorio (RAM) estática de 64 bits, organizada en dieciséis palabras de cuatro bits. Sus salidas son invertidas y de tercer estado, facilitando la conexión a buses de datos comunes. Fabricado con tecnología Low-Power Schottky, garantiza un acceso sumamente rápido y bajo consumo, ideal para memorias caché y registros rápidos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Voltaje de alimentación (VCC) | 4.75V - 5.25V |
| Tiempo de acceso (tA) | 35 ns (Típico) |
| Organización interna | 16 palabras de 4 bits |
| Corriente de salida (IOL) | 24 mA |
| Tipo de salidas lógicas | Invertidas de 3 estados |
| Encapsulado estándar | DIP-16 |
Tabla de la Verdad (Modo Operativo)
| Habilitación (/CS) | Escritura (/WE) | Salidas (/O1 a /O4) | Estado Lógico |
|---|---|---|---|
| 1 (Inactivo) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Modo de Retención |
| 0 (Activo) | 0 (Escritura) | Z (High-Z) | Ciclo de Escritura |
| 0 (Activo) | 1 (Lectura) | Dato Invertido (/D) | Ciclo de Lectura |
| 1 (Transición) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Desconexión de Bus |
Ventajas del 74LS189
Salidas en Tercer Estado: Su capacidad de alta impedancia permite conectar múltiples chips de memoria directamente al mismo bus de datos sin generar conflictos o colisiones de señal.
Acceso Ultra Rápido: Al ser una memoria RAM estática (SRAM), no requiere ciclos de refresco, ofreciendo tiempos de lectura y escritura extremadamente veloces para operaciones críticas.
Organización Eficiente: Su disposición en palabras de cuatro bits (un nibble) es perfecta para sistemas microprocesados pequeños o búferes de datos de ancho de banda ajustado.
Eficiencia Schottky: La familia LS garantiza bajo consumo de energía en estado de retención y disipación térmica mínima durante el procesamiento constante de lecturas y escrituras.
Aplicaciones Recomendadas
74LS189 64-Bit Random Access Memory
Memoria de acceso aleatorio con salidas invertidas de tercer estado
El 74LS189 es un circuito integrado de la familia lógica TTL que funciona como una memoria de acceso aleatorio (RAM) estática de 64 bits, organizada en dieciséis palabras de cuatro bits. Sus salidas son invertidas y de tercer estado, facilitando la conexión a buses de datos comunes. Fabricado con tecnología Low-Power Schottky, garantiza un acceso sumamente rápido y bajo consumo, ideal para memorias caché y registros rápidos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Voltaje de alimentación (VCC) | 4.75V - 5.25V |
| Tiempo de acceso (tA) | 35 ns (Típico) |
| Organización interna | 16 palabras de 4 bits |
| Corriente de salida (IOL) | 24 mA |
| Tipo de salidas lógicas | Invertidas de 3 estados |
| Encapsulado estándar | DIP-16 |
Tabla de la Verdad (Modo Operativo)
| Habilitación (/CS) | Escritura (/WE) | Salidas (/O1 a /O4) | Estado Lógico |
|---|---|---|---|
| 1 (Inactivo) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Modo de Retención |
| 0 (Activo) | 0 (Escritura) | Z (High-Z) | Ciclo de Escritura |
| 0 (Activo) | 1 (Lectura) | Dato Invertido (/D) | Ciclo de Lectura |
| 1 (Transición) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Desconexión de Bus |
Ventajas del 74LS189
Salidas en Tercer Estado: Su capacidad de alta impedancia permite conectar múltiples chips de memoria directamente al mismo bus de datos sin generar conflictos o colisiones de señal.
Acceso Ultra Rápido: Al ser una memoria RAM estática (SRAM), no requiere ciclos de refresco, ofreciendo tiempos de lectura y escritura extremadamente veloces para operaciones críticas.
Organización Eficiente: Su disposición en palabras de cuatro bits (un nibble) es perfecta para sistemas microprocesados pequeños o búferes de datos de ancho de banda ajustado.
Eficiencia Schottky: La familia LS garantiza bajo consumo de energía en estado de retención y disipación térmica mínima durante el procesamiento constante de lecturas y escrituras.
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74LS189 64-Bit Random Access Memory
Memoria de acceso aleatorio con salidas invertidas de tercer estado
El 74LS189 es un circuito integrado de la familia lógica TTL que funciona como una memoria de acceso aleatorio (RAM) estática de 64 bits, organizada en dieciséis palabras de cuatro bits. Sus salidas son invertidas y de tercer estado, facilitando la conexión a buses de datos comunes. Fabricado con tecnología Low-Power Schottky, garantiza un acceso sumamente rápido y bajo consumo, ideal para memorias caché y registros rápidos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Voltaje de alimentación (VCC) | 4.75V - 5.25V |
| Tiempo de acceso (tA) | 35 ns (Típico) |
| Organización interna | 16 palabras de 4 bits |
| Corriente de salida (IOL) | 24 mA |
| Tipo de salidas lógicas | Invertidas de 3 estados |
| Encapsulado estándar | DIP-16 |
Tabla de la Verdad (Modo Operativo)
| Habilitación (/CS) | Escritura (/WE) | Salidas (/O1 a /O4) | Estado Lógico |
|---|---|---|---|
| 1 (Inactivo) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Modo de Retención |
| 0 (Activo) | 0 (Escritura) | Z (High-Z) | Ciclo de Escritura |
| 0 (Activo) | 1 (Lectura) | Dato Invertido (/D) | Ciclo de Lectura |
| 1 (Transición) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Desconexión de Bus |
Ventajas del 74LS189
Salidas en Tercer Estado: Su capacidad de alta impedancia permite conectar múltiples chips de memoria directamente al mismo bus de datos sin generar conflictos o colisiones de señal.
Acceso Ultra Rápido: Al ser una memoria RAM estática (SRAM), no requiere ciclos de refresco, ofreciendo tiempos de lectura y escritura extremadamente veloces para operaciones críticas.
Organización Eficiente: Su disposición en palabras de cuatro bits (un nibble) es perfecta para sistemas microprocesados pequeños o búferes de datos de ancho de banda ajustado.
Eficiencia Schottky: La familia LS garantiza bajo consumo de energía en estado de retención y disipación térmica mínima durante el procesamiento constante de lecturas y escrituras.
Aplicaciones Recomendadas
74LS189 64-Bit Random Access Memory
Memoria de acceso aleatorio con salidas invertidas de tercer estado
El 74LS189 es un circuito integrado de la familia lógica TTL que funciona como una memoria de acceso aleatorio (RAM) estática de 64 bits, organizada en dieciséis palabras de cuatro bits. Sus salidas son invertidas y de tercer estado, facilitando la conexión a buses de datos comunes. Fabricado con tecnología Low-Power Schottky, garantiza un acceso sumamente rápido y bajo consumo, ideal para memorias caché y registros rápidos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Voltaje de alimentación (VCC) | 4.75V - 5.25V |
| Tiempo de acceso (tA) | 35 ns (Típico) |
| Organización interna | 16 palabras de 4 bits |
| Corriente de salida (IOL) | 24 mA |
| Tipo de salidas lógicas | Invertidas de 3 estados |
| Encapsulado estándar | DIP-16 |
Tabla de la Verdad (Modo Operativo)
| Habilitación (/CS) | Escritura (/WE) | Salidas (/O1 a /O4) | Estado Lógico |
|---|---|---|---|
| 1 (Inactivo) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Modo de Retención |
| 0 (Activo) | 0 (Escritura) | Z (High-Z) | Ciclo de Escritura |
| 0 (Activo) | 1 (Lectura) | Dato Invertido (/D) | Ciclo de Lectura |
| 1 (Transición) | X (Indiferente) | Z (High-Z) | Desconexión de Bus |
Ventajas del 74LS189
Salidas en Tercer Estado: Su capacidad de alta impedancia permite conectar múltiples chips de memoria directamente al mismo bus de datos sin generar conflictos o colisiones de señal.
Acceso Ultra Rápido: Al ser una memoria RAM estática (SRAM), no requiere ciclos de refresco, ofreciendo tiempos de lectura y escritura extremadamente veloces para operaciones críticas.
Organización Eficiente: Su disposición en palabras de cuatro bits (un nibble) es perfecta para sistemas microprocesados pequeños o búferes de datos de ancho de banda ajustado.
Eficiencia Schottky: La familia LS garantiza bajo consumo de energía en estado de retención y disipación térmica mínima durante el procesamiento constante de lecturas y escrituras.