2N7000 Transistor MOSFET Canal N 60V 200MA

S/ 1.50 1.5 PEN S/ 1.50

S/ 1.50

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Referencia Interna: 2N7000

Transistor MOSFET Canal N - 2N7000

El 2N7000 es un MOSFET de canal N de uso general, ideal para aplicaciones de conmutación de baja potencia y control lógico. Ofrece una resistencia R_DS(on) baja y una alta eficiencia, permitiendo manejar señales digitales y analógicas con excelente aislamiento de compuerta. Su encapsulado TO-92 facilita la integración en prototipos, controladores de microprocesadores y módulos de automatización.

Especificaciones Técnicas

Tipo de transistor	MOSFET de canal N
Encapsulado	TO-92
Tensión drenador-fuente (Vds)	60 V
Corriente máxima de drenador	200 mA
Resistencia RDS(on)	5 Ω típico
Tensión de compuerta (Vgs)	±20 V máx.
Disipación máxima	400 mW
Capacitancia de entrada	25 pF
Tiempo de conmutación	Nanosegundos típicos
Temperatura de operación	-55 °C a +150 °C
Tipo de montaje	Through-Hole (THT)
Aplicaciones	Conmutación, control y nivel lógico

Usos Comunes del 2N7000

• Conmutación digital: Ideal para microcontroladores y señales TTL.
• Control de cargas pequeñas: Aplicado en motores, LEDs y relés de baja potencia.
• Nivel lógico: Interfaz entre circuitos de 3.3V y 5V.
• Electrónica de potencia: Circuitos de control PWM y modulación.
• Prototipado electrónico: Integración en placas de desarrollo educativa.
• Automatización ligera: Usado en controladores y sensores digitales.

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