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2N7000 Transistor MOSFET Canal N 60V 200MA
[2N7000] 2N7000 Transistor MOSFET Canal N 60V 200MA
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2N7000
2N7000 Transistor MOSFET de Canal N de Pequeña Señal
Transistor de efecto de campo MOSFET de silicio de nivel lógico para conmutación veloz y drivers digitales
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura MOSFET de canal N, diseñado para circuitos de conmutación veloz y acondicionamiento de señales lógicas. Su baja resistencia en conducción y alta impedancia de entrada optimizan el acoplamiento directo con microcontroladores sin absorber corriente de control. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas densas y laboratorios digitales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de Canal N (Modo de Enriquecimiento) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 60V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 60V (Límite superior con RGS = 1.0MΩ) |
| Voltaje Compuerta-Fuente continuo (VGS) | ±20V (Límite absoluto directo e inverso) |
| Corriente de drenador continua (ID) | 200 mA (0.2 A continua) |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) | 500 mA (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de umbral de compuerta (VGS th) | 0.8V a 3.0V (Voltaje mínimo de activación) |
| Resistencia en conducción (RDS on) | 1.2Ω a 5.0Ω (Máxima a VGS = 10V, ID = 200mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Tiempos de conmutación (ton / toff) | 10 ns / 10 ns (Respuesta lógica ultra rápida) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Fuente (S) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Comuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Lógica) | Centro |
| Pin 3 | Drenador (D) | Salida de Corriente hacia la Carga | Derecha |
Ventajas del 2N7000
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al ser controlado enteramente por voltaje, no absorbe energía del microcontrolador, evitando sobrecargas en líneas lógicas digitales tenues.
Activación Directa por Compuertas Lógicas: Su bajo umbral (VGS th) de apenas 0.8V permite conmutar cargas gobernadas por señales directas de 3.3V y 5V de Arduino o microprocesadores.
Velocidad de Conmutación Avanzada (10 ns): Responde de forma casi instantánea a flujos transitorios de alta frecuencia, cualidad ideal para modulaciones de ancho de pulso (PWM).
Baja Resistencia de Saturación (RDS on): Minimiza las caídas de tensión eléctrica interna y reduce la generación térmica residual en circuitos compactos de acondicionamiento.
Aplicaciones Recomendadas
2N7000 Transistor MOSFET de Canal N de Pequeña Señal
Transistor de efecto de campo MOSFET de silicio de nivel lógico para conmutación veloz y drivers digitales
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura MOSFET de canal N, diseñado para circuitos de conmutación veloz y acondicionamiento de señales lógicas. Su baja resistencia en conducción y alta impedancia de entrada optimizan el acoplamiento directo con microcontroladores sin absorber corriente de control. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas densas, protoboards y sistemas de control analógico de baja potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de Canal N (Modo de Enriquecimiento) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 60V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 60V (Límite superior con RGS = 1.0MΩ) |
| Voltaje Compuerta-Fuente continuo (VGS) | ±20V (Límite absoluto directo e inverso) |
| Corriente de drenador continua (ID) | 200 mA (0.2 A continua) |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) | 500 mA (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de umbral de compuerta (VGS th) | 0.8V a 3.0V (Voltaje mínimo de activación) |
| Resistencia en conducción (RDS on) | 1.2Ω a 5.0Ω (Máxima a VGS = 10V, ID = 200mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Tiempos de conmutación (ton / toff) | 10 ns / 10 ns (Respuesta lógica ultra rápida) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Fuente (S) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Comuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Lógica) | Centro |
| Pin 3 | Drenador (D) | Salida de Corriente hacia la Carga | Derecha |
Ventajas del 2N7000
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar controlado enteramente por voltaje, no absorbe energía del microcontrolador, evitando sobrecargas en líneas lógicas digitales tenues.
Activación Directa por Compuertas Lógicas: Su bajo umbral (VGS th) de apenas 0.8V permite conmutar cargas gobernadas por señales directas de 3.3V y 5V de Arduino o microprocesadores.
Velocidad de Conmutación Avanzada (10 ns): Responde de forma casi instantánea a flujos transitorios de alta frecuencia, cualidad ideal para modulaciones de ancho de pulso (PWM).
Baja Resistencia de Saturación (RDS on): Minimiza las caídas de tensión eléctrica interna y reduce la generación térmica residual en circuitos compactos de acondicionamiento.
Aplicaciones Recomendadas
2N7000 Transistor MOSFET de Canal N de Pequeña Señal
Transistor de efecto de campo MOSFET de silicio de nivel lógico para conmutación veloz y drivers digitales
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura MOSFET de canal N, diseñado para circuitos de conmutación veloz y acondicionamiento de señales lógicas. Su baja resistencia en conducción y alta impedancia de entrada optimizan el acoplamiento directo con microcontroladores sin absorber corriente de control. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas densas y laboratorios digitales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de Canal N (Modo de Enriquecimiento) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 60V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 60V (Límite superior con RGS = 1.0MΩ) |
| Voltaje Compuerta-Fuente continuo (VGS) | ±20V (Límite absoluto directo e inverso) |
| Corriente de drenador continua (ID) | 200 mA (0.2 A continua) |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) | 500 mA (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de umbral de compuerta (VGS th) | 0.8V a 3.0V (Voltaje mínimo de activación) |
| Resistencia en conducción (RDS on) | 1.2Ω a 5.0Ω (Máxima a VGS = 10V, ID = 200mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Tiempos de conmutación (ton / toff) | 10 ns / 10 ns (Respuesta lógica ultra rápida) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Fuente (S) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Comuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Lógica) | Centro |
| Pin 3 | Drenador (D) | Salida de Corriente hacia la Carga | Derecha |
Ventajas del 2N7000
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al ser controlado enteramente por voltaje, no absorbe energía del microcontrolador, evitando sobrecargas en líneas lógicas digitales tenues.
Activación Directa por Compuertas Lógicas: Su bajo umbral (VGS th) de apenas 0.8V permite conmutar cargas gobernadas por señales directas de 3.3V y 5V de Arduino o microprocesadores.
Velocidad de Conmutación Avanzada (10 ns): Responde de forma casi instantánea a flujos transitorios de alta frecuencia, cualidad ideal para modulaciones de ancho de pulso (PWM).
Baja Resistencia de Saturación (RDS on): Minimiza las caídas de tensión eléctrica interna y reduce la generación térmica residual en circuitos compactos de acondicionamiento.
Aplicaciones Recomendadas
2N7000 Transistor MOSFET de Canal N de Pequeña Señal
Transistor de efecto de campo MOSFET de silicio de nivel lógico para conmutación veloz y drivers digitales
El 2N7000 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura MOSFET de canal N, diseñado para circuitos de conmutación veloz y acondicionamiento de señales lógicas. Su baja resistencia en conducción y alta impedancia de entrada optimizan el acoplamiento directo con microcontroladores sin absorber corriente de control. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas densas, protoboards y sistemas de control analógico de baja potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | MOSFET de Canal N (Modo de Enriquecimiento) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 60V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 60V (Límite superior con RGS = 1.0MΩ) |
| Voltaje Compuerta-Fuente continuo (VGS) | ±20V (Límite absoluto directo e inverso) |
| Corriente de drenador continua (ID) | 200 mA (0.2 A continua) |
| Corriente de drenador pulsada (IDM) | 500 mA (Flujo máximo transitorio) |
| Voltaje de umbral de compuerta (VGS th) | 0.8V a 3.0V (Voltaje mínimo de activación) |
| Resistencia en conducción (RDS on) | 1.2Ω a 5.0Ω (Máxima a VGS = 10V, ID = 200mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Tiempos de conmutación (ton / toff) | 10 ns / 10 ns (Respuesta lógica ultra rápida) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Fuente (S) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Comuerta (G) | Terminal de Control de Voltaje (Entrada Lógica) | Centro |
| Pin 3 | Drenador (D) | Salida de Corriente hacia la Carga | Derecha |
Ventajas del 2N7000
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar controlado enteramente por voltaje, no absorbe energía del microcontrolador, evitando sobrecargas en líneas lógicas digitales tenues.
Activación Directa por Compuertas Lógicas: Su bajo umbral (VGS th) de apenas 0.8V permite conmutar cargas gobernadas por señales directas de 3.3V y 5V de Arduino o microprocesadores.
Velocidad de Conmutación Avanzada (10 ns): Responde de forma casi instantánea a flujos transitorios de alta frecuencia, cualidad ideal para modulaciones de ancho de pulso (PWM).
Baja Resistencia de Saturación (RDS on): Minimiza las caídas de tensión eléctrica interna y reduce la generación térmica residual en circuitos compactos de acondicionamiento.