2N5551 SMD Transistor NPN Uso General SMD
[2N5551 SMD] 2N5551 SMD Transistor NPN Uso General SMD
Referencia Interna:
2N5551 SMD
Transistor NPN Alta Tensión (SMD) - 2N5551 (equivalente)
El 2N5551 es un transistor BJT NPN de alta tensión muy usado en drivers, etapas de señal pequeña, audio y circuitos donde se necesita buen margen de voltaje. En formato SMD normalmente se consigue como MMBT5551 (encapsulado SOT-23) o PMBT5551 (según fabricante). Su complemento PNP típico es el 2N5401 (SMD: MMBT5401).
Especificaciones Técnicas (Típicas)
| Tipo | Transistor BJT NPN (alta tensión) |
|---|---|
| Equivalente SMD | MMBT5551 / PMBT5551 |
| Encapsulado | SOT-23 (típico) |
| Tensión \(V_{CEO}\) | ≈ 160 V (típico) |
| Corriente \(I_C\) máx. | ≈ 100 a 200 mA (típico; depende de fabricante) |
| Potencia \(P_D\) | ≈ 225 a 350 mW (según PCB/temperatura) |
| Frecuencia \(f_T\) | ≈ 100 MHz (típico; varía por fabricante) |
| Aplicaciones | Drivers, audio, señal pequeña alta tensión, conmutación ligera |
Pinout (SOT-23): suele ser 1=Base, 2=Emisor, 3=Colector en muchos MMBT5551, pero puede variar por fabricante/serie. Confirme siempre en el datasheet del proveedor exacto.
Tip de conmutación: para saturación, use una regla práctica de \(I_B \approx I_C/10\) y calcule \(R_B \approx (V_{CTRL}-0.7)/I_B\). Verifique \(V_{CE(sat)}\) y disipación.
Documentación Técnica (Datasheet)
Para versión SMD, consulte el datasheet de MMBT5551/PMBT5551 para confirmar pinout, \(V_{CEO}\), \(I_C\), \(h_{FE}\), \(V_{CE(sat)}\), límites térmicos y condiciones de prueba.
Descargue su Datasheet (PDF)