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2N5551 SMD Transistor NPN Uso General SMD
[2N5551 SMD] 2N5551 SMD Transistor NPN Uso General SMD
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2N5551 SMD
MMBT5551 (2N5551 SMD) Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5551 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5551 con estructura NPN, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos de iluminación de gas y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango evaluado a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Dispositivo microminiatura de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5551 SMD (MMBT5551)
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor PNP MMBT5401, combinación clave para diseñar etapas previas de amplificación.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5551 (2N5551 SMD) Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5551 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5551 con estructura NPN, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos de iluminación de gas y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango evaluado a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Montaje superficial) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5551 SMD (MMBT5551)
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor PNP MMBT5401, combinación clave para diseñar etapas previas de amplificación.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5551 (2N5551 SMD) Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5551 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5551 con estructura NPN, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos de iluminación de gas y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango evaluado a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Dispositivo microminiatura de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5551 SMD (MMBT5551)
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor PNP MMBT5401, combinación clave para diseñar etapas previas de amplificación.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5551 (2N5551 SMD) Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5551 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5551 con estructura NPN, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos de iluminación de gas y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango evaluado a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Montaje superficial) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5551 SMD (MMBT5551)
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor PNP MMBT5401, combinación clave para diseñar etapas previas de amplificación.