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- 2N5551 TRANSISTOR NPN SI HV USO GENERAL 180V 600mA [2N5551] 2N5551 TRANSISTOR NPN SI HV USO GENERAL 180V 600mA
2N5551 TRANSISTOR NPN SI HV USO GENERAL 180V 600mA
[2N5551] 2N5551 TRANSISTOR NPN SI HV USO GENERAL 180V 600mA
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Referencia Interna:
2N5551
2N5551 Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El 2N5551 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado específicamente para circuitos que demandan una alta tolerancia a voltajes elevados. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas con mínima distorsión en etapas de preamplificación primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en tarjetas impresas de alta densidad y laboratorios electrónicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango típico a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 625 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Derecha |
Ventajas del 2N5551
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Rompe las limitaciones comunes de los transistores de pequeña señal, ofreciendo un amplio rango dinámico seguro ante tensiones críticas.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Capacidad de Corriente Robusta (600mA): Permite la activación holgada de cargas intermedias como pequeños relés, bobinas o LEDs de potencia en redes lógicas industriales.
Pareja Complementaria Nativa: Funciona en perfecta simetría eléctrica y geométrica con el transistor de estructura PNP 2N4401, combinación esencial para trazar etapas push-pull.
Aplicaciones Recomendadas
2N5551 Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El 2N5551 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado específicamente para circuitos que demandan una alta tolerancia a voltajes elevados. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas con mínima distorsión en etapas de preamplificación primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en tarjetas impresas de alta densidad y laboratorios electrónicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango típico a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 625 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Derecha |
Ventajas del 2N5551
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Rompe las limitaciones comunes de los transistores de pequeña señal, ofreciendo un amplio rango dinámico seguro ante tensiones críticas.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Capacidad de Corriente Robusta (600mA): Permite la activación holgada de cargas intermedias como pequeños relés, bobinas o LEDs de potencia en redes lógicas industriales.
Pareja Complementaria Nativa: Funciona en perfecta simetría eléctrica y geométrica con el transistor de estructura PNP 2N4401, combinación esencial para trazar etapas push-pull.
Aplicaciones Recomendadas
2N5551 Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El 2N5551 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado específicamente para circuitos que demandan una alta tolerancia a voltajes elevados. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas con mínima distorsión en etapas de preamplificación primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en tarjetas impresas de alta densidad y laboratorios electrónicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango típico a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 625 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Derecha |
Ventajas del 2N5551
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Rompe las limitaciones comunes de los transistores de pequeña señal, ofreciendo un amplio rango dinámico seguro ante tensiones críticas.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Capacidad de Corriente Robusta (600mA): Permite la activación holgada de cargas intermedias como pequeños relés, bobinas o LEDs de potencia en redes lógicas industriales.
Pareja Complementaria Nativa: Funciona en perfecta simetría eléctrica y geométrica con el transistor de estructura PNP 2N4401, combinación esencial para trazar etapas push-pull.
Aplicaciones Recomendadas
2N5551 Transistor NPN de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio de pequeña señal diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El 2N5551 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado específicamente para circuitos que demandan una alta tolerancia a voltajes elevados. Su excelente linealidad interna permite procesar flujos de señales analógicas delicadas con mínima distorsión en etapas de preamplificación primaria. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en tarjetas impresas de alta densidad y laboratorios electrónicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 160V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 180V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 600 mA (0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 80 a 250 (Rango típico a IC = 10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 625 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 50mA, IB = 5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de entrada (Cibo) | 20 pF (Máxima a VEB = 0.5V) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Izquierda |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Derecha |
Ventajas del 2N5551
Soporte de Voltaje Elevado (160V): Rompe las limitaciones comunes de los transistores de pequeña señal, ofreciendo un amplio rango dinámico seguro ante tensiones críticas.
Excelente Linealidad en Señales Chicas: Mantiene un factor hFE sumamente predecible en su zona activa, cualidad idónea para estructurar preamplificadores analógicos de bajo ruido.
Capacidad de Corriente Robusta (600mA): Permite la activación holgada de cargas intermedias como pequeños relés, bobinas o LEDs de potencia en redes lógicas industriales.
Pareja Complementaria Nativa: Funciona en perfecta simetría eléctrica y geométrica con el transistor de estructura PNP 2N4401, combinación esencial para trazar etapas push-pull.