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2N5485 TRANSISTOR FET CANAL N MOTO
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2N5485
2N5485 Transistor JFET de Canal N para Radiofrecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N5485 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 4.0 mA a 10 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -0.5V a -4.0V (A VDS = 15V, ID = 1.0nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 3500 a 7000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 310 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Capacitancia de transferencia (Crss) | 1.0 pF (Máxima a f = 1.0 MHz) |
| Frecuencia máxima de operación | 400 MHz (Excelente para VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5485
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima (1.0 pF): Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 400 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda comercial.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando una recepción de señal notablemente limpia.
Aplicaciones Recomendadas
2N5485 Transistor JFET de Canal N para Radiofrecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N5485 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 4.0 mA a 10 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -0.5V a -4.0V (A VDS = 15V, ID = 1.0nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 3500 a 7000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 310 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Capacitancia de transferencia (Crss) | 1.0 pF (Máxima a f = 1.0 MHz) |
| Frecuencia máxima de operación | 400 MHz (Excelente para VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5485
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima (1.0 pF): Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 400 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda comercial.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando una recepción de señal notablemente limpia.
Aplicaciones Recomendadas
2N5485 Transistor JFET de Canal N para Radiofrecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N5485 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 4.0 mA a 10 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -0.5V a -4.0V (A VDS = 15V, ID = 1.0nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 3500 a 7000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 310 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Capacitancia de transferencia (Crss) | 1.0 pF (Máxima a f = 1.0 MHz) |
| Frecuencia máxima de operación | 400 MHz (Excelente para VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5485
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima (1.0 pF): Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 400 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda comercial.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando una recepción de señal notablemente limpia.
Aplicaciones Recomendadas
2N5485 Transistor JFET de Canal N para Radiofrecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N5485 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 4.0 mA a 10 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -0.5V a -4.0V (A VDS = 15V, ID = 1.0nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 3500 a 7000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 310 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Capacitancia de transferencia (Crss) | 1.0 pF (Máxima a f = 1.0 MHz) |
| Frecuencia máxima de operación | 400 MHz (Excelente para VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5485
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima (1.0 pF): Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 400 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda comercial.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando una recepción de señal notablemente limpia.