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2N5460 TRANSISTOR FET CANAL P
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2N5460
2N5460 Transistor JFET de Canal P de Audio y Conmutación
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de bajo ruido y alta impedancia
El 2N5460 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal P, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de bajo ruido e instrumentación electrónica. Su extraordinaria impedancia de entrada y baja distorsión armónica optimizan la preamplificación de señales analógicas débiles sin cargar las etapas previas. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas impresas de alta densidad y laboratorios acústicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal P (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | -40V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | -40V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Directo (VGS) | 40V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | -1.0 mA a -5.0 mA (A VDS = -15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | -10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | 0.75V a 6.0V (A VDS = -15V, ID = -1.0µA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 1000 a 4000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 2.5 dB (Típico a f = 1.0 kHz) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente modulada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5460
Impedancia de Entrada Excepcional: Al controlarse mediante voltaje inverso en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales analógicas.
Factor de Ruido Reducido (2.5 dB): Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando a transistores polares comunes en preamplificación acústica.
Voltaje de Operación Elevado (-40V): Su amplio margen de ruptura colector-emisor/drenador-fuente proporciona una excelente inmunidad a transitorios en líneas de audio de alta fidelidad.
Complemento Simétrico Directo: Funciona en perfecta sintonía y simetría analógica con el JFET de canal N 2N5457, binomio crítico para trazar amplificadores diferenciales balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
2N5460 Transistor JFET de Canal P de Audio y Conmutación
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de bajo ruido y alta impedancia
El 2N5460 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal P, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de bajo ruido e instrumentación electrónica. Su extraordinaria impedancia de entrada y baja distorsión armónica optimizan la preamplificación de señales analógicas débiles sin cargar las etapas previas. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas impresas de alta densidad y laboratorios acústicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal P (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | -40V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | -40V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Directo (VGS) | 40V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | -1.0 mA a -5.0 mA (A VDS = -15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | -10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | 0.75V a 6.0V (A VDS = -15V, ID = -1.0µA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 1000 a 4000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 2.5 dB (Típico a f = 1.0 kHz) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente modulada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5460
Impedancia de Entrada Excepcional: Al controlarse mediante voltaje inverso en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales analógicas.
Factor de Ruido Reducido (2.5 dB): Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando a transistores polares comunes en preamplificación acústica.
Voltaje de Operación Elevado (-40V): Su amplio margen de ruptura colector-emisor/drenador-fuente proporciona una excelente inmunidad a transitorios en líneas de audio de alta fidelidad.
Complemento Simétrico Directo: Funciona en perfecta sintonía y simetría analógica con el JFET de canal N 2N5457, binomio crítico para trazar amplificadores diferenciales balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
2N5460 Transistor JFET de Canal P de Audio y Conmutación
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de bajo ruido y alta impedancia
El 2N5460 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal P, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de bajo ruido e instrumentación electrónica. Su extraordinaria impedancia de entrada y baja distorsión armónica optimizan la preamplificación de señales analógicas débiles sin cargar las etapas previas. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas impresas de alta densidad y laboratorios acústicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal P (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | -40V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | -40V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Directo (VGS) | 40V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | -1.0 mA a -5.0 mA (A VDS = -15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | -10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | 0.75V a 6.0V (A VDS = -15V, ID = -1.0µA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 1000 a 4000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 2.5 dB (Típico a f = 1.0 kHz) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente modulada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5460
Impedancia de Entrada Excepcional: Al controlarse mediante voltaje inverso en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales analógicas.
Factor de Ruido Reducido (2.5 dB): Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando a transistores polares comunes en preamplificación acústica.
Voltaje de Operación Elevado (-40V): Su amplio margen de ruptura colector-emisor/drenador-fuente proporciona una excelente inmunidad a transitorios en líneas de audio de alta fidelidad.
Complemento Simétrico Directo: Funciona en perfecta sintonía y simetría analógica con el JFET de canal N 2N5457, binomio crítico para trazar amplificadores diferenciales balanceados.
Aplicaciones Recomendadas
2N5460 Transistor JFET de Canal P de Audio y Conmutación
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de bajo ruido y alta impedancia
El 2N5460 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal P, diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de bajo ruido e instrumentación electrónica. Su extraordinaria impedancia de entrada y baja distorsión armónica optimizan la preamplificación de señales analógicas débiles sin cargar las etapas previas. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas impresas de alta densidad y laboratorios acústicos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal P (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | -40V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | -40V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Directo (VGS) | 40V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | -1.0 mA a -5.0 mA (A VDS = -15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | -10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | 0.75V a 6.0V (A VDS = -15V, ID = -1.0µA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 1000 a 4000 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Factor de ruido interno (NF) | 2.5 dB (Típico a f = 1.0 kHz) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente modulada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N5460
Impedancia de Entrada Excepcional: Al controlarse mediante voltaje inverso en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales analógicas.
Factor de Ruido Reducido (2.5 dB): Diseñado específicamente para mitigar el siseo térmico de fondo, superando a transistores polares comunes en preamplificación acústica.
Voltaje de Operación Elevado (-40V): Su amplio margen de ruptura colector-emisor/drenador-fuente proporciona una excelente inmunidad a transitorios en líneas de audio de alta fidelidad.
Complemento Simétrico Directo: Funciona en perfecta sintonía y simetría analógica con el JFET de canal N 2N5457, binomio crítico para trazar amplificadores diferenciales balanceados.