- Todos los productos
- Circuitos Integrados & Semiconductores
- 2N5401 SMD Transistor PNP Uso General 150V 600mA [2N5401 SMD] 2N5401 SMD Transistor PNP Uso General 150V 600mA
2N5401 SMD Transistor PNP Uso General 150V 600mA
[2N5401 SMD] 2N5401 SMD Transistor PNP Uso General 150V 600mA
https://electrofranko.com/shop/2n5401-smd-2n5401-smd-transistor-pnp-uso-general-150v-600ma-3844 https://electrofranko.com/web/image/product.template/3844/image_1920?unique=409b056
Términos y condiciones
Envío: 2-3 días laborales
Referencia Interna:
2N5401 SMD
MMBT5401 (2N5401 SMD) Transistor PNP de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5401 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5401 con estructura PNP, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos telefónicos y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -150V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -160V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 60 a 240 (Rango evaluado a IC = -10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -50mA, IB = -5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de salida (Cobo) | 6.0 pF (Máxima a VCB = -10V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Dispositivo microminiatura de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5401 SMD (MMBT5401)
Soporte de Voltaje Elevado (-150V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Su naturaleza PNP simplifica el control para interrumpir o abrir directamente líneas de alimentación de alto voltaje hacia masa.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor NPN MMBT5551, combinación clave para diseñar etapas previas e inversores lineales.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5401 (2N5401 SMD) Transistor PNP de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5401 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5401 con estructura PNP, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos telefónicos y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -150V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -160V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 60 a 240 (Rango evaluado a IC = -10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -50mA, IB = -5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de salida (Cobo) | 6.0 pF (Máxima a VCB = -10V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Montaje superficial) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5401 SMD (MMBT5401)
Soporte de Voltaje Elevado (-150V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Su naturaleza PNP simplifica el control para interrumpir o abrir directamente líneas de alimentación de alto voltaje hacia masa.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor NPN MMBT5551, combinación clave para diseñar etapas previas e inversores lineales.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5401 (2N5401 SMD) Transistor PNP de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5401 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5401 con estructura PNP, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos telefónicos y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -150V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -160V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 60 a 240 (Rango evaluado a IC = -10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -50mA, IB = -5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de salida (Cobo) | 6.0 pF (Máxima a VCB = -10V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Dispositivo microminiatura de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5401 SMD (MMBT5401)
Soporte de Voltaje Elevado (-150V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Su naturaleza PNP simplifica el control para interrumpir o abrir directamente líneas de alimentación de alto voltaje hacia masa.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor NPN MMBT5551, combinación clave para diseñar etapas previas e inversores lineales.
Aplicaciones Recomendadas
MMBT5401 (2N5401 SMD) Transistor PNP de Alto Voltaje
Transistor bipolar BJT de silicio para montaje superficial diseñado para amplificación y conmutación de alta tensión
El MMBT5401 es la versión SMD del popular transistor epitaxial de silicio de pequeña señal 2N5401 con estructura PNP, diseñado para etapas de amplificación y conmutación de alto voltaje. Su excelente capacidad para soportar tensiones elevadas lo convierte en un componente clave en circuitos telefónicos y controladores lógicos lineales. Su encapsulado clásico compacto asegura un acoplamiento idóneo en placas de circuito impreso automatizadas de alta densidad.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -150V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -160V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 60 a 240 (Rango evaluado a IC = -10mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (Montado sobre placa FR-4 estándar) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.5V (Máximo a IC = -50mA, IB = -5mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz a 300 MHz (Zona activa) |
| Capacitancia de salida (Cobo) | 6.0 pF (Máxima a VCB = -10V) |
| Encapsulado estándar | SOT-23 (Montaje superficial) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista superior con pin solitario arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Inferior Izquierda |
| Pin 2 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Inferior Derecha |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga del Circuito | Superior Central (Pin solitario) |
Ventajas del 2N5401 SMD (MMBT5401)
Soporte de Voltaje Elevado (-150V): Destaca en el segmento SMD por tolerar tensiones colector-emisor drásticamente superiores a las de componentes convencionales de señal.
Optimización Extrema de Espacio: El formato SOT-23 minimiza drásticamente el área requerida en la tarjeta impresa, permitiendo un ruteo denso de doble cara.
Conmutación del Lado Alto (High-Side): Su naturaleza PNP simplifica el control para interrumpir o abrir directamente líneas de alimentación de alto voltaje hacia masa.
Par Complementario SMD Nativo: Trabaja en perfecta sintonía simétrica con el transistor NPN MMBT5551, combinación clave para diseñar etapas previas e inversores lineales.