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- 2N4427 Transistor NPN SI. RF PO.136-174MHZ, 1W [2N4427] 2N4427 Transistor NPN SI. RF PO.136-174MHZ, 1W
2N4427 Transistor NPN SI. RF PO.136-174MHZ, 1W
[2N4427] 2N4427 Transistor NPN SI. RF PO.136-174MHZ, 1W
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Referencia Interna:
2N4427
2N4427 Transistor NPN de Silicio para Radiofrecuencia
Transistor de potencia media en cápsula metálica optimizado para transmisores y osciladores VHF/UHF
El 2N4427 es un transistor epitaxial de silicio de media potencia con estructura NPN, diseñado específicamente para operar en amplificadores de clase A, B o C en bandas de alta frecuencia. Su geometría interna optimizada le permite entregar una amplificación de señal robusta y limpia en etapas de transmisión comercial. Su encapsulado metálico cilíndrico asegura una transferencia térmica crítica y blindaje contra ruidos electromagnéticos externos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de RF) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 20V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 40V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 4V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 400 mA (0.4 A) |
| Potencia útil de salida (Pout) | 1.0W (Mínimo a una frecuencia de 175 MHz) |
| Ganancia de potencia en RF (GPE) | 10 dB (Mínimo a VCC = 12V, Pout = 1W) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 1.0W (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación con disipador térmico | 3.5W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Frecuencia de transición máxima | 500 MHz (Banda de VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-39 (Lata metálica cilíndrica de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de RF / Conexión de Tierra Común | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de la Señal de Radiofrecuencia (RF) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Salida Amplificada / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N4427
Alto Rendimiento en VHF (1W): Entrega una potencia útil de RF constante y muy eficiente a tensiones estándar de 12V, ideal para pequeños transmisores portátiles.
Disipación Robusta TO-39: Su encapsulado metálico de tamaño medio disipa calor de forma excelente, permitiendo evacuar hasta 3.5W acoplándole un disipador de aluminio tipo estrella.
Excelente Blindaje de Carcasa: El cuerpo metálico soldable actúa como una pantalla natural, bloqueando interferencias parásitas externas y ruidos de alta frecuencia.
Ganancia Óptima de 10 dB: Su excelente transconductancia de RF asegura un factor de amplificación de potencia de diez veces la señal inyectada en la base.
Aplicaciones Recomendadas
2N4427 Transistor NPN de Silicio para Radiofrecuencia
Transistor de potencia media en cápsula metálica optimizado para transmisores y osciladores VHF/UHF
El 2N4427 es un transistor epitaxial de silicio de media potencia con estructura NPN, diseñado específicamente para operar en amplificadores de clase A, B o C en bandas de alta frecuencia. Su geometría interna optimizada le permite entregar una amplificación de señal robusta y limpia en etapas de transmisión comercial. Su encapsulado metálico cilíndrico asegura una transferencia térmica crítica y blindaje contra ruidos electromagnéticos externos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de RF) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 20V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 40V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 4V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 400 mA (0.4 A) |
| Potencia útil de salida (Pout) | 1.0W (Mínimo a una frecuencia de 175 MHz) |
| Ganancia de potencia en RF (GPE) | 10 dB (Mínimo a VCC = 12V, Pout = 1W) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 1.0W (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación con disipador térmico | 3.5W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Frecuencia de transición máxima | 500 MHz (Banda de VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-39 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de RF / Conexión de Tierra Común | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de la Señal de Radiofrecuencia (RF) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Salida Amplificada / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N4427
Alto Rendimiento en VHF (1W): Entrega una potencia útil de RF constante y muy eficiente a tensiones estándar de 12V, ideal para pequeños transmisores portátiles.
Disipación Robusta TO-39: Su encapsulado metálico de tamaño medio disipa calor de forma excelente, permitiendo evacuar hasta 3.5W acoplándole un disipador de aluminio tipo estrella.
Excelente Blindaje de Carcasa: El cuerpo metálico soldable actúa como una pantalla natural, bloqueando interferencias parásitas externas y ruidos de alta frecuencia.
Ganancia Óptima de 10 dB: Su excelente transconductancia de RF asegura un factor de amplificación de potencia de diez veces la señal inyectada en la base.
Aplicaciones Recomendadas
2N4427 Transistor NPN de Silicio para Radiofrecuencia
Transistor de potencia media en cápsula metálica optimizado para transmisores y osciladores VHF/UHF
El 2N4427 es un transistor epitaxial de silicio de media potencia con estructura NPN, diseñado específicamente para operar en amplificadores de clase A, B o C en bandas de alta frecuencia. Su geometría interna optimizada le permite entregar una amplificación de señal robusta y limpia en etapas de transmisión comercial. Su encapsulado metálico cilíndrico asegura una transferencia térmica crítica y blindaje contra ruidos electromagnéticos externos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de RF) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 20V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 40V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 4V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 400 mA (0.4 A) |
| Potencia útil de salida (Pout) | 1.0W (Mínimo a una frecuencia de 175 MHz) |
| Ganancia de potencia en RF (GPE) | 10 dB (Mínimo a VCC = 12V, Pout = 1W) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 1.0W (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación con disipador térmico | 3.5W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Frecuencia de transición máxima | 500 MHz (Banda de VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-39 (Lata metálica cilíndrica de tres pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de RF / Conexión de Tierra Común | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de la Señal de Radiofrecuencia (RF) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Salida Amplificada / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N4427
Alto Rendimiento en VHF (1W): Entrega una potencia útil de RF constante y muy eficiente a tensiones estándar de 12V, ideal para pequeños transmisores portátiles.
Disipación Robusta TO-39: Su encapsulado metálico de tamaño medio disipa calor de forma excelente, permitiendo evacuar hasta 3.5W acoplándole un disipador de aluminio tipo estrella.
Excelente Blindaje de Carcasa: El cuerpo metálico soldable actúa como una pantalla natural, bloqueando interferencias parásitas externas y ruidos de alta frecuencia.
Ganancia Óptima de 10 dB: Su excelente transconductancia de RF asegura un factor de amplificación de potencia de diez veces la señal inyectada en la base.
Aplicaciones Recomendadas
2N4427 Transistor NPN de Silicio para Radiofrecuencia
Transistor de potencia media en cápsula metálica optimizado para transmisores y osciladores VHF/UHF
El 2N4427 es un transistor epitaxial de silicio de media potencia con estructura NPN, diseñado específicamente para operar en amplificadores de clase A, B o C en bandas de alta frecuencia. Su geometría interna optimizada le permite entregar una amplificación de señal robusta y limpia en etapas de transmisión comercial. Su encapsulado metálico cilíndrico asegura una transferencia térmica crítica y blindaje contra ruidos electromagnéticos externos.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de RF) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 20V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 40V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 4V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 400 mA (0.4 A) |
| Potencia útil de salida (Pout) | 1.0W (Mínimo a una frecuencia de 175 MHz) |
| Ganancia de potencia en RF (GPE) | 10 dB (Mínimo a VCC = 12V, Pout = 1W) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 1.0W (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación con disipador térmico | 3.5W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Frecuencia de transición máxima | 500 MHz (Banda de VHF y UHF bajo) |
| Encapsulado estándar | TO-39 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de RF / Conexión de Tierra Común | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de la Señal de Radiofrecuencia (RF) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Salida Amplificada / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N4427
Alto Rendimiento en VHF (1W): Entrega una potencia útil de RF constante y muy eficiente a tensiones estándar de 12V, ideal para pequeños transmisores portátiles.
Disipación Robusta TO-39: Su encapsulado metálico de tamaño medio disipa calor de forma excelente, permitiendo evacuar hasta 3.5W acoplándole un disipador de aluminio tipo estrella.
Excelente Blindaje de Carcasa: El cuerpo metálico soldable actúa como una pantalla natural, bloqueando interferencias parásitas externas y ruidos de alta frecuencia.
Ganancia Óptima de 10 dB: Su excelente transconductancia de RF asegura un factor de amplificación de potencia de diez veces la señal inyectada en la base.