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2N3819 Transistor JFET Canal N TO92
[2N3819] 2N3819 Transistor JFET Canal N TO92
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Referencia Interna:
2N3819
2N3819 Transistor JFET de Canal N de Alta Frecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N3819 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 2.0 mA a 20 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | 10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -8.0V (Máximo a VDS = 15V, ID = 10nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 2000 a 6500 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia máxima de oscilación | 700 MHz (Apto para VHF e inicios de UHF) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N3819
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales acústicas o de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima: Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 700 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda ancha.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando preamplificaciones notablemente limpias.
Aplicaciones Recomendadas
2N3819 Transistor JFET de Canal N de Alta Frecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N3819 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 2.0 mA a 20 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | 10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -8.0V (Máximo a VDS = 15V, ID = 10nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 2000 a 6500 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia máxima de oscilación | 700 MHz (Apto para VHF e inicios de UHF) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N3819
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales acústicas o de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima: Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 700 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda ancha.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando preamplificaciones notablemente limpias.
Aplicaciones Recomendadas
2N3819 Transistor JFET de Canal N de Alta Frecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N3819 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 2.0 mA a 20 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | 10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -8.0V (Máximo a VDS = 15V, ID = 10nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 2000 a 6500 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia máxima de oscilación | 700 MHz (Apto para VHF e inicios de UHF) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Cuerpo plástico clásico de señal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N3819
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales acústicas o de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima: Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 700 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda ancha.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando preamplificaciones notablemente limpias.
Aplicaciones Recomendadas
2N3819 Transistor JFET de Canal N de Alta Frecuencia
Transistor de efecto de campo JFET de silicio diseñado para amplificadores de RF y mezcladores VHF/UHF
El 2N3819 es un transistor de efecto de campo unipolar con estructura JFET de canal N, diseñado para aplicaciones de amplificación y mezcla en frecuencias elevadas de VHF y UHF. Su bajísima capacitancia de transferencia y alta impedancia de entrada optimizan la recepción de señales débiles sin cargar los circuitos previos. Su encapsulado compacto asegura un acoplamiento perfecto en placas electrónicas de sintonizadores y radiocomunicación.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de dispositivo | JFET de Canal N (Efecto de Campo) |
| Voltaje Drenador-Fuente (VDS) | 25V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Drenador-Comuerta (VDG) | 25V (Límite superior) |
| Voltaje Compuerta-Fuente Inverso (VGS) | -25V (Voltaje de ruptura absoluto) |
| Corriente de drenador de saturación (IDSS) | 2.0 mA a 20 mA (A VDS = 15V, VGS = 0V) |
| Corriente de compuerta continua (IG) | 10 mA (Flujo directo máximo) |
| Voltaje de corte Compuerta-Fuente (VGS off) | -8.0V (Máximo a VDS = 15V, ID = 10nA) |
| Transconductancia de señal (gfs) | 2000 a 6500 µmhos (A f = 1.0 kHz) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 350 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Frecuencia máxima de oscilación | 700 MHz (Apto para VHF e inicios de UHF) |
| Encapsulado estándar | TO-92 (Montaje por orificio) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista plana inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Drenador (D) | Salida de Corriente controlada por el canal | Izquierda |
| Pin 2 | Fuente (S) | Entrada de portadores de carga al canal | Centro |
| Pin 3 | Comuerta (G) | Terminal de control por modulación de campo | Derecha |
Ventajas del 2N3819
Impedancia de Entrada Ultra Elevada: Al estar gobernado por voltaje en lugar de corriente, no absorbe energía de la etapa previa, aislando de forma impecable las señales acústicas o de RF de bajo nivel.
Capacitancia de Transferencia Mínima: Registra valores extremadamente bajos de capacitancia parásita, evitando realimentaciones indeseadas y oscilaciones espurias en altas frecuencias.
Excelente Comportamiento en VHF/UHF: Su alta frecuencia de operación de hasta 700 MHz le otorga una respuesta impecable en sintonizadores de radio, mezcladores y osciladores de banda ancha.
Bajo Factor de Ruido de Conmutación: Su estructura de efecto de campo es inherentemente menos propensa a ruidos de avalancha térmicos, asegurando preamplificaciones notablemente limpias.