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- 2N3055-ST Transistor de 60VDC 15AMP NPN TO-3 [2N3055-ST] 2N3055-ST Transistor de 60VDC 15AMP NPN TO-3
2N3055-ST Transistor de 60VDC 15AMP NPN TO-3
[2N3055-ST] 2N3055-ST Transistor de 60VDC 15AMP NPN TO-3
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2N3055-ST
2N3055 Transistor NPN de Gran Potencia de Silicio
Transistor bipolar complementario de potencia para reguladores lineales y etapas de salida de audio masivas
El 2N3055 es un transistor de silicio de gran potencia con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación robusta y amplificación lineal de alta corriente. Su legendario encapsulado metálico de alta resistencia le otorga una disipación térmica extraordinaria, convirtiéndolo en el estándar histórico para fuentes de alimentación reguladas. Su arquitectura masiva asegura un soporte seguro ante sobrecargas severas en sistemas inductivos industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de Potencia) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 15 A |
| Corriente de base continua (IB) | 7 A (Flujo máximo de inyección) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 20 a 70 (Evaluado a corriente IC = 4.0A) |
| Disipación de potencia total (PD) | 115W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.1V (Máximo a IC = 4.0A, IB = 400mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 2.5 MHz (Optimizado para baja frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-3 (Cuerpo metálico plano tipo "sombrero") |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pines descentrados hacia arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Corriente (Excitación) | Pin Izquierdo |
| Pin 2 | Emisor (E) | Salida de Corriente hacia la Carga / Tierra | Pin Derecho |
| Carcasa | Colector (C) | Entrada de Alta Carga / Conexión Térmica | Cuerpo Metálico Completo |
Ventajas del 2N3055
Soporte de Corriente Excepcional (15A): Gestiona con facilidad flujos eléctricos elevados de amperaje, permitiendo controlar motores industriales pesados y cargadores magnéticos bizarros.
Disipación Térmica Brutal (115W): Su masivo encapsulado metálico TO-3 solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio con grasa de silicona.
Resistencia Sobrada a Sobrecargas: Su robusta oblea semiconductora soporta picos inductivos severos y condiciones críticas de estrés eléctrico mucho mejor que los modelos plásticos modernos.
Complemento Simétrico Perfecto: Se acopla de manera balanceada en simetría analógica con el transistor de potencia PNP MJ2955, configuración vital para etapas de potencia de audio de alta fidelidad.
Aplicaciones Recomendadas
2N3055 Transistor NPN de Gran Potencia de Silicio
Transistor bipolar complementario de potencia para reguladores lineales y etapas de salida de audio masivas
El 2N3055 es un transistor de silicio de gran potencia con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación robusta y amplificación lineal de alta corriente. Su legendario encapsulado metálico de alta resistencia le otorga una disipación térmica extraordinaria, convirtiéndolo en el estándar histórico para fuentes de alimentación reguladas. Su arquitectura masiva asegura un soporte seguro ante sobrecargas severas en sistemas inductivos industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de Potencia) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 15 A |
| Corriente de base continua (IB) | 7 A (Flujo máximo de inyección) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 20 a 70 (Evaluado a corriente IC = 4.0A) |
| Disipación de potencia total (PD) | 115W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.1V (Máximo a IC = 4.0A, IB = 400mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 2.5 MHz (Optimizado para baja frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-3 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pines descentrados hacia arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Corriente (Excitación) | Pin Izquierdo |
| Pin 2 | Emisor (E) | Salida de Corriente hacia la Carga / Tierra | Pin Derecho |
| Carcasa | Colector (C) | Entrada de Alta Carga / Conexión Térmica | Cuerpo Metálico Completo |
Ventajas del 2N3055
Soporte de Corriente Excepcional (15A): Gestiona con facilidad flujos eléctricos elevados de amperaje, permitiendo controlar motores industriales pesados y cargadores magnéticos bizarros.
Disipación Térmica Brutal (115W): Su masivo encapsulado metálico TO-3 solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio con grasa de silicona.
Resistencia Sobrada a Sobrecargas: Su robusta oblea semiconductora soporta picos inductivos severos y condiciones críticas de estrés eléctrico mucho mejor que los modelos plásticos modernos.
Complemento Simétrico Perfecto: Se acopla de manera balanceada en simetría analógica con el transistor de potencia PNP MJ2955, configuración vital para etapas de potencia de audio de alta fidelidad.
Aplicaciones Recomendadas
2N3055 Transistor NPN de Gran Potencia de Silicio
Transistor bipolar complementario de potencia para reguladores lineales y etapas de salida de audio masivas
El 2N3055 es un transistor de silicio de gran potencia con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación robusta y amplificación lineal de alta corriente. Su legendario encapsulado metálico de alta resistencia le otorga una disipación térmica extraordinaria, convirtiéndolo en el estándar histórico para fuentes de alimentación reguladas. Su arquitectura masiva asegura un soporte seguro ante sobrecargas severas en sistemas inductivos industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de Potencia) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 15 A |
| Corriente de base continua (IB) | 7 A (Flujo máximo de inyección) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 20 a 70 (Evaluado a corriente IC = 4.0A) |
| Disipación de potencia total (PD) | 115W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.1V (Máximo a IC = 4.0A, IB = 400mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 2.5 MHz (Optimizado para baja frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-3 (Cuerpo metálico plano tipo "sombrero") |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pines descentrados hacia arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Corriente (Excitación) | Pin Izquierdo |
| Pin 2 | Emisor (E) | Salida de Corriente hacia la Carga / Tierra | Pin Derecho |
| Carcasa | Colector (C) | Entrada de Alta Carga / Conexión Térmica | Cuerpo Metálico Completo |
Ventajas del 2N3055
Soporte de Corriente Excepcional (15A): Gestiona con facilidad flujos eléctricos elevados de amperaje, permitiendo controlar motores industriales pesados y cargadores magnéticos bizarros.
Disipación Térmica Brutal (115W): Su masivo encapsulado metálico TO-3 solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio con grasa de silicona.
Resistencia Sobrada a Sobrecargas: Su robusta oblea semiconductora soporta picos inductivos severos y condiciones críticas de estrés eléctrico mucho mejor que los modelos plásticos modernos.
Complemento Simétrico Perfecto: Se acopla de manera balanceada en simetría analógica con el transistor de potencia PNP MJ2955, configuración vital para etapas de potencia de audio de alta fidelidad.
Aplicaciones Recomendadas
2N3055 Transistor NPN de Gran Potencia de Silicio
Transistor bipolar complementario de potencia para reguladores lineales y etapas de salida de audio masivas
El 2N3055 es un transistor de silicio de gran potencia con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación robusta y amplificación lineal de alta corriente. Su legendario encapsulado metálico de alta resistencia le otorga una disipación térmica extraordinaria, convirtiéndolo en el estándar histórico para fuentes de alimentación reguladas. Su arquitectura masiva asegura un soporte seguro ante sobrecargas severas en sistemas inductivos industriales.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar de Potencia) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo de operación continua) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 100V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 15 A |
| Corriente de base continua (IB) | 7 A (Flujo máximo de inyección) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 20 a 70 (Evaluado a corriente IC = 4.0A) |
| Disipación de potencia total (PD) | 115W (Montado con disipador a TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 1.1V (Máximo a IC = 4.0A, IB = 400mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 2.5 MHz (Optimizado para baja frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-3 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pines descentrados hacia arriba) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Base (B) | Entrada de Control Corriente (Excitación) | Pin Izquierdo |
| Pin 2 | Emisor (E) | Salida de Corriente hacia la Carga / Tierra | Pin Derecho |
| Carcasa | Colector (C) | Entrada de Alta Carga / Conexión Térmica | Cuerpo Metálico Completo |
Ventajas del 2N3055
Soporte de Corriente Excepcional (15A): Gestiona con facilidad flujos eléctricos elevados de amperaje, permitiendo controlar motores industriales pesados y cargadores magnéticos bizarros.
Disipación Térmica Brutal (115W): Su masivo encapsulado metálico TO-3 solda un área superficial óptima para transferir calor velozmente hacia disipadores de aluminio con grasa de silicona.
Resistencia Sobrada a Sobrecargas: Su robusta oblea semiconductora soporta picos inductivos severos y condiciones críticas de estrés eléctrico mucho mejor que los modelos plásticos modernos.
Complemento Simétrico Perfecto: Se acopla de manera balanceada en simetría analógica con el transistor de potencia PNP MJ2955, configuración vital para etapas de potencia de audio de alta fidelidad.