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2N3019 Transistor De Baja Potencia NPN
[2N3019] 2N3019 Transistor De Baja Potencia NPN
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Referencia Interna:
2N3019
2N3019 Transistor NPN Metálico de Media Potencia
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque TO-5 para amplificación de alta ganancia y conmutación rápida
El 2N3019 es un transistor de silicio de señal y potencia media con estructura NPN, diseñado para circuitos de amplificación lineal de banda ancha y conmutación eficiente. Su cápsula hermética metálica de formato expandido le confiere una disipación térmica muy superior frente a los modelos plásticos comunes de señal. Su arquitectura robusta asegura un rendimiento altamente estable en instrumentación profesional, equipos de comunicación y osciladores de precisión.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 140V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.0 A (1000 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango evaluado a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 800 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación de potencia con disipador | 5.0W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-5 (Lata metálica de tamaño medio con pestaña) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N3019
Elevada Tolerancia de Voltaje (80V): Brinda una magnífica rigidez dieléctrica colector-emisor, superando a los transistores convencionales frente a sobretensiones.
Capacidad de Corriente Robusta (1.0A): Logra gestionar de manera continua intensidades de corriente elevadas, actuando eficazmente como paso intermedio en cascadas de control.
Disipación Térmica en Formato TO-5: Su cápsula metálica grande y gruesa permite disipar de forma segura hasta 5.0W empleando un disipador de calor de aluminio.
Excelente Blindaje Electromagnético: La carcasa de metal soldada actúa como pantalla protectora natural bloqueando eficazmente ruidos parásitos de radiofrecuencia (RF).
Aplicaciones Recomendadas
2N3019 Transistor NPN Metálico de Media Potencia
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque TO-5 para amplificación de alta ganancia y conmutación rápida
El 2N3019 es un transistor de silicio de señal y potencia media con estructura NPN, diseñado para circuitos de amplificación lineal de banda ancha y conmutación eficiente. Su cápsula hermética metálica de formato expandido le confiere una disipación térmica muy superior frente a los modelos plásticos comunes de señal. Su arquitectura robusta asegura un rendimiento altamente estable en instrumentación profesional, equipos de comunicación y osciladores de precisión.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 140V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.0 A (1000 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango evaluado a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 800 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación de potencia con disipador | 5.0W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-5 (Montaje por orificio / Cápsula de metal expandida) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N3019
Elevada Tolerancia de Voltaje (80V): Brinda una magnífica rigidez dieléctrica colector-emisor, superando a los transistores convencionales frente a sobretensiones.
Capacidad de Corriente Robustas (1.0A): Logra gestionar de manera continua intensidades de corriente elevadas, actuando eficazmente como paso intermedio en cascadas de control.
Disipación Térmica en Formato TO-5: Su cápsula metálica grande y gruesa permite disipar de forma segura hasta 5.0W empleando un disipador de calor de aluminio.
Excelente Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla delgada natural bloqueando eficazmente ruidos parásitos de radiofrecuencia (RF).
Aplicaciones Recomendadas
2N3019 Transistor NPN Metálico de Media Potencia
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque TO-5 para amplificación de alta ganancia y conmutación rápida
El 2N3019 es un transistor de silicio de señal y potencia media con estructura NPN, diseñado para circuitos de amplificación lineal de banda ancha y conmutación eficiente. Su cápsula hermética metálica de formato expandido le confiere una disipación térmica muy superior frente a los modelos plásticos comunes de señal. Su arquitectura robusta asegura un rendimiento altamente estable en instrumentación profesional, equipos de comunicación y osciladores de precisión.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 140V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.0 A (1000 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango evaluado a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 800 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación de potencia con disipador | 5.0W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-5 (Lata metálica de tamaño medio con pestaña) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N3019
Elevada Tolerancia de Voltaje (80V): Brinda una magnífica rigidez dieléctrica colector-emisor, superando a los transistores convencionales frente a sobretensiones.
Capacidad de Corriente Robusta (1.0A): Logra gestionar de manera continua intensidades de corriente elevadas, actuando eficazmente como paso intermedio en cascadas de control.
Disipación Térmica en Formato TO-5: Su cápsula metálica grande y gruesa permite disipar de forma segura hasta 5.0W empleando un disipador de calor de aluminio.
Excelente Blindaje Electromagnético: La carcasa de metal soldada actúa como pantalla protectora natural bloqueando eficazmente ruidos parásitos de radiofrecuencia (RF).
Aplicaciones Recomendadas
2N3019 Transistor NPN Metálico de Media Potencia
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque TO-5 para amplificación de alta ganancia y conmutación rápida
El 2N3019 es un transistor de silicio de señal y potencia media con estructura NPN, diseñado para circuitos de amplificación lineal de banda ancha y conmutación eficiente. Su cápsula hermética metálica de formato expandido le confiere una disipación térmica muy superior frente a los modelos plásticos comunes de señal. Su arquitectura robusta asegura un rendimiento altamente estable en instrumentación profesional, equipos de comunicación y osciladores de precisión.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 80V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 140V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 7V (Límite absoluto inverso) |
| Corriente de colector continua (IC) | 1.0 A (1000 mA) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango evaluado a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia libre (PD) | 800 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Disipación de potencia con disipador | 5.0W (A temperatura de carcasa TC = 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.2V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 100 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-5 (Montaje por orificio / Cápsula de metal expandida) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N3019
Elevada Tolerancia de Voltaje (80V): Brinda una magnífica rigidez dieléctrica colector-emisor, superando a los transistores convencionales frente a sobretensiones.
Capacidad de Corriente Robustas (1.0A): Logra gestionar de manera continua intensidades de corriente elevadas, actuando eficazmente como paso intermedio en cascadas de control.
Disipación Térmica en Formato TO-5: Su cápsula metálica grande y gruesa permite disipar de forma segura hasta 5.0W empleando un disipador de calor de aluminio.
Excelente Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla delgada natural bloqueando eficazmente ruidos parásitos de radiofrecuencia (RF).