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- 2N2920 Transistor Bipolar NPN 60V 1.5W 30mA (TR) [2N2920] 2N2920 Transistor Bipolar NPN 60V 1.5W 30mA (TR)
2N2920 Transistor Bipolar NPN 60V 1.5W 30mA (TR)
[2N2920] 2N2920 Transistor Bipolar NPN 60V 1.5W 30mA (TR)
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Referencia Interna:
2N2920
2N2920 Transistor Dual NPN Matched de Silicio
Par de transistores NPN acoplados monolíticamente para amplificadores diferenciales y de ultra bajo ruido
El 2N2920 es un par de transistores de silicio de pequeña señal con estructura NPN, integrados en un solo encapsulado para un acoplamiento térmico y eléctrico simétrico. Diseñado específicamente para amplificadores diferenciales de precisión, este dispositivo minimiza la deriva de voltaje y optimiza la estabilidad del circuito bajo variaciones ambientales críticas. Su encapsulado metálico robusto asegura un blindaje electromagnético hermético en instrumentación médica avanzada.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración del dispositivo | Transistor Dual NPN Matched (Acoplado) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo por transistor) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 30 mA (Por sección interna) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 300 a 900 (A IC = 10 µA, VCE = 5V) |
| Relación hFE1 / hFE2 (Matching) | 0.90 a 1.0 (Simetría de ganancia estricta) |
| Voltaje diferencial Base-Emisor (|VBE1-VBE2|) | 5.0 mV (Máximo de desajuste de compensación) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 mW (Ambos transistores activos a 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 60 MHz (Mínimo en zona de señal débil) |
| Encapsulado industrial | TO-78 (Lata metálica de perfil redondo de 6 pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior horaria desde pestaña) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector 1 (C1) | Salida de señal / Carga Transistor 1 | Pin contiguo inmediato a la pestaña |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Entrada de Control / Señal Transistor 1 | Segundo pin desde la pestaña guía |
| Pin 3 | Emisor 1 (E1) | Retorno de Corriente Transistor 1 | Tercer pin desde la pestaña guía |
| Pin 4 | Emisor 2 (E2) | Retorno de Corriente Transistor 2 | Cuarto pin desde la pestaña guía |
| Pin 5 | Base 2 (B2) | Entrada de Control / Señal Transistor 2 | Quinto pin desde la pestaña guía |
| Pin 6 | Colector 2 (C2) | Salida de señal / Carga Transistor 2 | Pin final previo a cerrar el círculo |
Ventajas del 2N2222
Acoplamiento Térmico Óptimo Monolítico: Al fabricarse sobre la misma oblea de silicio, ambos transistores experimentan idénticas temperaturas, neutralizando derivas térmicas no deseadas.
Impresionante Ganancia a Corrientes Bajas: Mantiene un rango robusto de hFE de hasta 900 con apenas 10 µA, cualidad crítica para procesar preamplificaciones de ultra bajo nivel de siseo.
Simetría Eléctrica Rigurosa (Matched): Un desajuste de voltaje VBE máximo de 5.0 mV garantiza un equilibrio perfecto en circuitos de entrada simétricos diferenciales.
Hermeticidad e Inmunidad TO-78: Su cápsula metálica soldada ofrece protección ambiental absoluta y actúa como blindaje Faraday ante interferencias de radiofrecuencia.
Aplicaciones Recomendadas
2N2920 Transistor Dual NPN Matched de Silicio
Par de transistores NPN acoplados monolíticamente para amplificadores diferenciales y de ultra bajo ruido
El 2N2920 es un par de transistores de silicio de pequeña señal con estructura NPN, integrados en un solo encapsulado para un acoplamiento térmico y eléctrico simétrico. Diseñado específicamente para amplificadores diferenciales de precisión, este dispositivo minimiza la deriva de voltaje y optimiza la estabilidad del circuito bajo variaciones ambientales críticas. Su encapsulado metálico robusto asegura un blindaje electromagnético hermético en instrumentación médica avanzada.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración del dispositivo | Transistor Dual NPN Matched (Acoplado) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo por transistor) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 30 mA (Por sección interna) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 300 a 900 (A IC = 10 µA, VCE = 5V) |
| Relación hFE1 / hFE2 (Matching) | 0.90 a 1.0 (Simetría de ganancia estricta) |
| Voltaje diferencial Base-Emisor (|VBE1-VBE2|) | 5.0 mV (Máximo de desajuste de compensación) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 600 mW (Ambos transistores activos a 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 60 MHz (Mínimo en zona de señal débil) |
| Encapsulado industrial | TO-78 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior horaria desde pestaña) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector 1 (C1) | Salida de señal / Carga Transistor 1 | Pin contiguo inmediato a la pestaña |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Entrada de Control / Señal Transistor 1 | Segundo pin desde la pestaña guía |
| Pin 3 | Emisor 1 (E1) | Retorno de Corriente Transistor 1 | Tercer pin desde la pestaña guía |
| Pin 4 | Emisor 2 (E2) | Retorno de Corriente Transistor 2 | Cuarto pin desde la pestaña guía |
| Pin 5 | Base 2 (B2) | Entrada de Control / Señal Transistor 2 | Quinto pin desde la pestaña guía |
| Pin 6 | Colector 2 (C2) | Salida de señal / Carga Transistor 2 | Pin final previo a cerrar el círculo |
Ventajas del 2N2920
Acoplamiento Térmico Óptimo Monolítico: Al fabricarse sobre la misma oblea de silicio, ambos transistores experimentan idénticas temperaturas, neutralizando derivas térmicas no deseadas.
Impresionante Ganancia a Corrientes Bajas: Mantiene un rango robusto de hFE de hasta 900 con apenas 10 µA, cualidad crítica para procesar preamplificaciones de ultra bajo nivel de siseo.
Simetría Eléctrica Rigurosa (Matched): Un desajuste de voltaje VBE máximo de 5.0 mV garantiza un equilibrio perfecto en circuitos de entrada simétricos diferenciales.
Hermeticidad e Inmunidad TO-78: Su cápsula metálica soldada ofrece protección ambiental absoluta y actúa como blindaje Faraday ante interferencias de radiofrecuencia.
Aplicaciones Recomendadas
2N2920 Transistor Dual NPN Matched de Silicio
Par de transistores NPN acoplados monolíticamente para amplificadores diferenciales y de ultra bajo ruido
El 2N2920 es un par de transistores de silicio de pequeña señal con estructura NPN, integrados en un solo encapsulado para un acoplamiento térmico y eléctrico simétrico. Diseñado específicamente para amplificadores diferenciales de precisión, este dispositivo minimiza la deriva de voltaje y optimiza la estabilidad del circuito bajo variaciones ambientales críticas. Su encapsulado metálico robusto asegura un blindaje electromagnético hermético en instrumentación médica avanzada.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración del dispositivo | Transistor Dual NPN Matched (Acoplado) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo por transistor) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 30 mA (Por sección interna) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 300 a 900 (A IC = 10 µA, VCE = 5V) |
| Relación hFE1 / hFE2 (Matching) | 0.90 a 1.0 (Simetría de ganancia estricta) |
| Voltaje diferencial Base-Emisor (|VBE1-VBE2|) | 5.0 mV (Máximo de desajuste de compensación) |
| Disipación de potencia total (PD) | 600 mW (Ambos transistores activos a 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 60 MHz (Mínimo en zona de señal débil) |
| Encapsulado industrial | TO-78 (Lata metálica de perfil redondo de 6 pines) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior horaria desde pestaña) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector 1 (C1) | Salida de señal / Carga Transistor 1 | Pin contiguo inmediato a la pestaña |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Entrada de Control / Señal Transistor 1 | Segundo pin desde la pestaña guía |
| Pin 3 | Emisor 1 (E1) | Retorno de Corriente Transistor 1 | Tercer pin desde la pestaña guía |
| Pin 4 | Emisor 2 (E2) | Retorno de Corriente Transistor 2 | Cuarto pin desde la pestaña guía |
| Pin 5 | Base 2 (B2) | Entrada de Control / Señal Transistor 2 | Quinto pin desde la pestaña guía |
| Pin 6 | Colector 2 (C2) | Salida de señal / Carga Transistor 2 | Pin final previo a cerrar el círculo |
Ventajas del 2N2222
Acoplamiento Térmico Óptimo Monolítico: Al fabricarse sobre la misma oblea de silicio, ambos transistores experimentan idénticas temperaturas, neutralizando derivas térmicas no deseadas.
Impresionante Ganancia a Corrientes Bajas: Mantiene un rango robusto de hFE de hasta 900 con apenas 10 µA, cualidad crítica para procesar preamplificaciones de ultra bajo nivel de siseo.
Simetría Eléctrica Rigurosa (Matched): Un desajuste de voltaje VBE máximo de 5.0 mV garantiza un equilibrio perfecto en circuitos de entrada simétricos diferenciales.
Hermeticidad e Inmunidad TO-78: Su cápsula metálica soldada ofrece protección ambiental absoluta y actúa como blindaje Faraday ante interferencias de radiofrecuencia.
Aplicaciones Recomendadas
2N2920 Transistor Dual NPN Matched de Silicio
Par de transistores NPN acoplados monolíticamente para amplificadores diferenciales y de ultra bajo ruido
El 2N2920 es un par de transistores de silicio de pequeña señal con estructura NPN, integrados en un solo encapsulado para un acoplamiento térmico y eléctrico simétrico. Diseñado específicamente para amplificadores diferenciales de precisión, este dispositivo minimiza la deriva de voltaje y optimiza la estabilidad del circuito bajo variaciones ambientales críticas. Su encapsulado metálico robusto asegura un blindaje electromagnético hermético en instrumentación médica avanzada.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Configuración del dispositivo | Transistor Dual NPN Matched (Acoplado) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 60V (Máximo por transistor) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior absoluto) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 6V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 30 mA (Por sección interna) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 300 a 900 (A IC = 10 µA, VCE = 5V) |
| Relación hFE1 / hFE2 (Matching) | 0.90 a 1.0 (Simetría de ganancia estricta) |
| Voltaje diferencial Base-Emisor (|VBE1-VBE2|) | 5.0 mV (Máximo de desajuste de compensación) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 600 mW (Ambos transistores activos a 25°C) |
| Frecuencia de transición (fT) | 60 MHz (Mínimo en zona de señal débil) |
| Encapsulado industrial | TO-78 (Montaje por orificio / Lata metálica) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior horaria desde pestaña) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Colector 1 (C1) | Salida de señal / Carga Transistor 1 | Pin contiguo inmediato a la pestaña |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Entrada de Control / Señal Transistor 1 | Segundo pin desde la pestaña guía |
| Pin 3 | Emisor 1 (E1) | Retorno de Corriente Transistor 1 | Tercer pin desde la pestaña guía |
| Pin 4 | Emisor 2 (E2) | Retorno de Corriente Transistor 2 | Cuarto pin desde la pestaña guía |
| Pin 5 | Base 2 (B2) | Entrada de Control / Señal Transistor 2 | Quinto pin desde la pestaña guía |
| Pin 6 | Colector 2 (C2) | Salida de señal / Carga Transistor 2 | Pin final previo a cerrar el círculo |
Ventajas del 2N2920
Acoplamiento Térmico Óptimo Monolítico: Al fabricarse sobre la misma oblea de silicio, ambos transistores experimentan idénticas temperaturas, neutralizando derivas térmicas no deseadas.
Impresionante Ganancia a Corrientes Bajas: Mantiene un rango robusto de hFE de hasta 900 con apenas 10 µA, cualidad crítica para procesar preamplificaciones de ultra bajo nivel de siseo.
Simetría Eléctrica Rigurosa (Matched): Un desajuste de voltaje VBE máximo de 5.0 mV garantiza un equilibrio perfecto en circuitos de entrada simétricos diferenciales.
Hermeticidad e Inmunidad TO-78: Su cápsula metálica soldada ofrece protección ambiental absoluta y actúa como blindaje Faraday ante interferencias de radiofrecuencia.