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- 2N2907A Transistor Switching PNP Metal TO18 0.6A 60V [2N2907A] 2N2907A Transistor Switching PNP Metal TO18 0.6A 60V
2N2907A Transistor Switching PNP Metal TO18 0.6A 60V
[2N2907A] 2N2907A Transistor Switching PNP Metal TO18 0.6A 60V
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Referencia Interna:
2N2907A
2N2907A Transistor PNP Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para alta velocidad y conmutación del lado alto
El 2N2907A es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado para circuitos de conmutación rápida y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona una disipación térmica superior y excelente estabilidad frente a ruidos electromagnéticos parásitos. Su arquitectura robusta asegura un acoplamiento idóneo en entornos lógicos industriales, instrumentación y aplicaciones de radiofrecuencia de potencia media.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -60V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = -150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 400 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.4V (Máximo a IC = -150mA, IB = -15mA) |
| Tiempo de encendido (Turn-on Time) | 45 ns (Máximo a IC = -150mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 200 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2907A Metálico
Conmutación Eficiente High-Side: Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés continuo.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura NPN, el transistor 2N2222, facilitando el diseño de etapas lógicas e inversores balanceados.
Blindaje Electromagnético Efectivo: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de radiofrecuencia de instrumentación.
Aplicaciones Recomendadas
2N2907A Transistor PNP Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para alta velocidad y conmutación del lado alto
El 2N2907A es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado para circuitos de conmutación rápida y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona una disipación térmica superior y excelente estabilidad frente a ruidos electromagnéticos parásitos. Su arquitectura robusta asegura un acoplamiento idóneo en entornos lógicos industriales, instrumentación y aplicaciones de radiofrecuencia de potencia media.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -60V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = -150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 400 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.4V (Máximo a IC = -150mA, IB = -15mA) |
| Tiempo de encendido (Turn-on Time) | 45 ns (Máximo a IC = -150mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 200 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Name del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2907A Metálico
Conmutación Eficiente High-Side: Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés continuo.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura NPN, el transistor 2N2222, facilitando el diseño de etapas lógicas e inversores balanceados.
Blindaje Electromagnético Efectivo: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de radiofrecuencia de instrumentación.
Aplicaciones Recomendadas
2N2907A Transistor PNP Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para alta velocidad y conmutación del lado alto
El 2N2907A es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado para circuitos de conmutación rápida y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona una disipación térmica superior y excelente estabilidad frente a ruidos electromagnéticos parásitos. Su arquitectura robusta asegura un acoplamiento idóneo en entornos lógicos industriales, instrumentación y aplicaciones de radiofrecuencia de potencia media.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -60V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = -150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 400 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.4V (Máximo a IC = -150mA, IB = -15mA) |
| Tiempo de encendido (Turn-on Time) | 45 ns (Máximo a IC = -150mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 200 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2907A Metálico
Conmutación Eficiente High-Side: Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés continuo.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura NPN, el transistor 2N2222, facilitando el diseño de etapas lógicas e inversores balanceados.
Blindaje Electromagnético Efectivo: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de radiofrecuencia de instrumentación.
Aplicaciones Recomendadas
2N2907A Transistor PNP Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para alta velocidad y conmutación del lado alto
El 2N2907A es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura PNP, diseñado para circuitos de conmutación rápida y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona una disipación térmica superior y excelente estabilidad frente a ruidos electromagnéticos parásitos. Su arquitectura robusta asegura un acoplamiento idóneo en entornos lógicos industriales, instrumentación y aplicaciones de radiofrecuencia de potencia media.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | PNP (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | -60V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | -60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | -5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | -600 mA (-0.6 A) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = -150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 400 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | -0.4V (Máximo a IC = -150mA, IB = -15mA) |
| Tiempo de encendido (Turn-on Time) | 45 ns (Máximo a IC = -150mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 200 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Name del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Línea de Alimentación Positiva (VCC) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control (Filtro / Conmutación) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2907A Metálico
Conmutación Eficiente High-Side: Al poseer polaridad PNP, gestiona eficientemente el flujo de energía abriendo o cerrando el suministro desde la línea positiva hacia cargas referenciadas a tierra.
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés continuo.
Excelente Complemento Simétrico: Trabaja de manera coordinada junto a su homólogo de estructura NPN, el transistor 2N2222, facilitando el diseño de etapas lógicas e inversores balanceados.
Blindaje Electromagnético Efectivo: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de radiofrecuencia de instrumentación.