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2N2646 Transistor Unijuntura PUT
[2N2646] 2N2646 Transistor Unijuntura PUT
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2N2646
2N2646 Transistor de Unijuntura UJT de Silicio
Transistor especial UJT de silicio diseñado para circuitos osciladores de relajación y disparo de tiristores
El 2N2646 es un transistor de unijuntura masivo de silicio con estructura UJT, diseñado para operar en circuitos osciladores de relajación y temporizadores estables. Gracias a su capacidad para entregar pulsos rápidos y tolerar corrientes pico elevadas, este semiconductor proporciona un rendimiento robusto. Su encapsulado metálico hermético garantiza una óptima disipación térmica en sistemas industriales de control de potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de componente | Transistor de Unijuntura (UJT) |
| Voltaje Base2-Base1 (VBB) | 35V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Emisor-Base1 Inverso (VEB1R) | 30V (Límite superior) |
| Corriente de emisor continua (IE) | 50 mA (RMS de operación) |
| Corriente de emisor pico (Ie) | 2.0 A (Pulsada, f = 20Hz) |
| Relación de división intrínseca (η) | 0.56 a 0.75 (Factor de disparo) |
| Resistencia interbase (RBB) | 4.7 kΩ a 9.1 kΩ |
| Corriente de pico de emisor (IP) | 5.0 µA (Máxima a VBB = 25V) |
| Corriente de valle de emisor (IV) | 4.0 mA (Mínima a VBB = 20V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 300 mW (A temperatura de 25°C) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Terminal de control e inyección de disparo | Pin intermedio (Alineación horaria) |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Salida de pulso positivo de disparo | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 3 | Base 2 (B2) | Polarización positiva / Compensación térmica | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222
Generación de Pulsos Excepcional: Diseñado específicamente con una curva de resistencia negativa ideal para estructurar osciladores de ondas de diente de sierra limpias.
Corriente Pico Elevada (2.0A): Soporta flujos pulsados de gran intensidad eléctrica, cualidad indispensable para excitar de forma directa compuertas de Tiristores (SCR) y Triacs.
Estabilidad Térmica Industrial: Su encapsulado de canasta metálica TO-18 hermético evita derivaciones paramétricas ante variaciones extremas de temperatura de trabajo.
Baja Corriente de Disparo (IP): Requiere apenas una corriente de pico ínfima de 5.0 µA para activar el canal interno, economizando el consumo en redes temporizadoras.
Aplicaciones Recomendadas
2N2646 Transistor de Unijuntura UJT de Silicio
Transistor especial UJT de silicio diseñado para circuitos osciladores de relajación y disparo de tiristores
El 2N2646 es un transistor de unijuntura masivo de silicio con estructura UJT, diseñado para operar en circuitos osciladores de relajación y temporizadores estables. Gracias a su capacidad para entregar pulsos rápidos y tolerar corrientes pico elevadas, este semiconductor proporciona un rendimiento robusto. Su encapsulado metálico hermético garantiza una óptima disipación térmica en sistemas industriales de control de potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de componente | Transistor de Unijuntura (UJT) |
| Voltaje Base2-Base1 (VBB) | 35V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Emisor-Base1 Inverso (VEB1R) | 30V (Límite superior) |
| Corriente de emisor continua (IC) | 50 mA (RMS de operación) |
| Corriente de emisor pico (Ie) | 2.0 A (Pulsada, f = 20Hz) |
| Relación de división intrínseca (η) | 0.56 a 0.75 (Factor de disparo) |
| Resistencia interbase (RBB) | 4.7 kΩ a 9.1 kΩ |
| Corriente de pico de emisor (IP) | 5.0 µA (Máxima a VBB = 25V) |
| Corriente de valle de emisor (IV) | 4.0 mA (Mínima a VBB = 20V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 300 mW (A temperatura de 25°C) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Terminal de control e inyección de disparo | Pin intermedio (Alineación horaria) |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Salida de pulso positivo de disparo | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 3 | Base 2 (B2) | Polarización positiva / Compensación térmica | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2646
Generación de Pulsos Excepcional: Diseñado específicamente con una curva de resistencia negativa ideal para estructurar osciladores de ondas de diente de sierra limpias.
Corriente Pico Elevada (2.0A): Soporta flujos pulsados de gran intensidad eléctrica, cualidad indispensable para excitar de forma directa compuertas de Tiristores (SCR) y Triacs.
Estabilidad Térmica Industrial: Su encapsulado de canasta metálica TO-18 hermético evita derivaciones paramétricas ante variaciones extremas de temperatura de trabajo.
Baja Corriente de Disparo (IP): Requiere apenas una corriente de pico ínfima de 5.0 µA para activar el canal interno, economizando el consumo en redes temporizadoras.
Aplicaciones Recomendadas
2N2646 Transistor de Unijuntura UJT de Silicio
Transistor especial UJT de silicio diseñado para circuitos osciladores de relajación y disparo de tiristores
El 2N2646 es un transistor de unijuntura masivo de silicio con estructura UJT, diseñado para operar en circuitos osciladores de relajación y temporizadores estables. Gracias a su capacidad para entregar pulsos rápidos y tolerar corrientes pico elevadas, este semiconductor proporciona un rendimiento robusto. Su encapsulado metálico hermético garantiza una óptima disipación térmica en sistemas industriales de control de potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de componente | Transistor de Unijuntura (UJT) |
| Voltaje Base2-Base1 (VBB) | 35V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Emisor-Base1 Inverso (VEB1R) | 30V (Límite superior) |
| Corriente de emisor continua (IE) | 50 mA (RMS de operación) |
| Corriente de emisor pico (Ie) | 2.0 A (Pulsada, f = 20Hz) |
| Relación de división intrínseca (η) | 0.56 a 0.75 (Factor de disparo) |
| Resistencia interbase (RBB) | 4.7 kΩ a 9.1 kΩ |
| Corriente de pico de emisor (IP) | 5.0 µA (Máxima a VBB = 25V) |
| Corriente de valle de emisor (IV) | 4.0 mA (Mínima a VBB = 20V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 300 mW (A temperatura de 25°C) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Terminal de control e inyección de disparo | Pin intermedio (Alineación horaria) |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Salida de pulso positivo de disparo | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 3 | Base 2 (B2) | Polarización positiva / Compensación térmica | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222
Generación de Pulsos Excepcional: Diseñado específicamente con una curva de resistencia negativa ideal para estructurar osciladores de ondas de diente de sierra limpias.
Corriente Pico Elevada (2.0A): Soporta flujos pulsados de gran intensidad eléctrica, cualidad indispensable para excitar de forma directa compuertas de Tiristores (SCR) y Triacs.
Estabilidad Térmica Industrial: Su encapsulado de canasta metálica TO-18 hermético evita derivaciones paramétricas ante variaciones extremas de temperatura de trabajo.
Baja Corriente de Disparo (IP): Requiere apenas una corriente de pico ínfima de 5.0 µA para activar el canal interno, economizando el consumo en redes temporizadoras.
Aplicaciones Recomendadas
2N2646 Transistor de Unijuntura UJT de Silicio
Transistor especial UJT de silicio diseñado para circuitos osciladores de relajación y disparo de tiristores
El 2N2646 es un transistor de unijuntura masivo de silicio con estructura UJT, diseñado para operar en circuitos osciladores de relajación y temporizadores estables. Gracias a su capacidad para entregar pulsos rápidos y tolerar corrientes pico elevadas, este semiconductor proporciona un rendimiento robusto. Su encapsulado metálico hermético garantiza una óptima disipación térmica en sistemas industriales de control de potencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Tipo de componente | Transistor de Unijuntura (UJT) |
| Voltaje Base2-Base1 (VBB) | 35V (Máximo absoluto) |
| Voltaje Emisor-Base1 Inverso (VEB1R) | 30V (Límite superior) |
| Corriente de emisor continua (IC) | 50 mA (RMS de operación) |
| Corriente de emisor pico (Ie) | 2.0 A (Pulsada, f = 20Hz) |
| Relación de división intrínseca (η) | 0.56 a 0.75 (Factor de disparo) |
| Resistencia interbase (RBB) | 4.7 kΩ a 9.1 kΩ |
| Corriente de pico de emisor (IP) | 5.0 µA (Máxima a VBB = 25V) |
| Corriente de valle de emisor (IV) | 4.0 mA (Mínima a VBB = 20V) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 300 mW (A temperatura de 25°C) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Terminal de control e inyección de disparo | Pin intermedio (Alineación horaria) |
| Pin 2 | Base 1 (B1) | Salida de pulso positivo de disparo | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 3 | Base 2 (B2) | Polarización positiva / Compensación térmica | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2646
Generación de Pulsos Excepcional: Diseñado específicamente con una curva de resistencia negativa ideal para estructurar osciladores de ondas de diente de sierra limpias.
Corriente Pico Elevada (2.0A): Soporta flujos pulsados de gran intensidad eléctrica, cualidad indispensable para excitar de forma directa compuertas de Tiristores (SCR) y Triacs.
Estabilidad Térmica Industrial: Su encapsulado de canasta metálica TO-18 hermético evita derivaciones paramétricas ante variaciones extremas de temperatura de trabajo.
Baja Corriente de Disparo (IP): Requiere apenas una corriente de pico ínfima de 5.0 µA para activar el canal interno, economizando el consumo en redes temporizadoras.