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- 2N2222 Metal Transistor NPN uso General Metal 800mA 30V [2N2222 METAL] 2N2222 Metal Transistor NPN uso General Metal 800mA 30V
2N2222 Metal Transistor NPN uso General Metal 800mA 30V
[2N2222 METAL] 2N2222 Metal Transistor NPN uso General Metal 800mA 30V
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2N2222 METAL
2N2222 Transistor NPN Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para aplicaciones de alta velocidad y blindaje térmico
El 2N2222 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación veloz y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona un blindaje térmico excepcional y mayor tolerancia a corrientes máximas que la serie plástica PN2222. Su blindaje estructural asegura un funcionamiento sumamente estable en entornos de instrumentación y proyectos de radiofrecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 30V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 800 mA (0.8 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 1.0 A (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.3V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 250 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222 Metálico
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés.
Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de RF sensibles.
Resistencia Corriente Mejorada (800mA): Soporta de manera continua un mayor flujo de amperaje respecto a los transistores convencionales de señal, facilitando el ruteo de cargas intermedias.
Durabilidad en Ambientes Críticos: El sellado hermético protege la oblea de silicio interna contra la oxidación, la humedad ambiental y factores de degradación industrial severos.
Aplicaciones Recomendadas
2N2222 Transistor NPN Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para aplicaciones de alta velocidad y blindaje térmico
El 2N2222 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación veloz y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona un blindaje térmico excepcional y mayor tolerancia a corrientes máximas que la serie plástica PN2222. Su blindaje estructural asegura un funcionamiento sumamente estable en entornos de instrumentación y proyectos de radiofrecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 30V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 800 mA (0.8 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 1.0 A (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.3V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 250 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222 Metálico
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés.
Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de RF sensibles.
Resistencia Corriente Mejorada (800mA): Soporta de manera continua un mayor flujo de amperaje respecto a los transistores convencionales de señal, facilitando el ruteo de cargas intermedias.
Durabilidad en Ambientes Críticos: El sellado hermético protege la oblea de silicio interna contra la oxidación, la humedad ambiental y factores de degradación industrial severos.
Aplicaciones Recomendadas
2N2222 Transistor NPN Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para aplicaciones de alta velocidad y blindaje térmico
El 2N2222 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación veloz y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona un blindaje térmico excepcional y mayor tolerancia a corrientes máximas que la serie plástica PN2222. Su blindaje estructural asegura un funcionamiento sumamente estable en entornos de instrumentación y proyectos de radiofrecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 30V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 800 mA (0.8 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 1.0 A (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.3V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 250 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Canasta metálica hermética con pestaña guía) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222 Metálico
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés.
Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de RF sensibles.
Resistencia Corriente Mejorada (800mA): Soporta de manera continua un mayor flujo de amperaje respecto a los transistores convencionales de señal, facilitando el ruteo de cargas intermedias.
Durabilidad en Ambientes Críticos: El sellado hermético protege la oblea de silicio interna contra la oxidación, la humedad ambiental y factores de degradación industrial severos.
Aplicaciones Recomendadas
2N2222 Transistor NPN Metálico de Conmutación
Transistor bipolar BJT de silicio en empaque metálico para aplicaciones de alta velocidad y blindaje térmico
El 2N2222 es un transistor epitaxial de silicio de pequeña señal con estructura NPN, diseñado para circuitos de conmutación veloz y amplificación lineal. Esta variante en cápsula metálica hermética proporciona un blindaje térmico excepcional y mayor tolerancia a corrientes máximas que la serie plástica PN2222. Su blindaje estructural asegura un funcionamiento sumamente estable en entornos de instrumentación y proyectos de radiofrecuencia.
Especificaciones Técnicas Detalladas
| Parámetro | Valor / Detalle |
|---|---|
| Polaridad del transistor | NPN (Transistor Bipolar BJT) |
| Voltaje Colector-Emisor (VCEO) | 30V (Máximo de operación) |
| Voltaje Colector-Base (VCBO) | 60V (Límite superior) |
| Voltaje Base-Emisor (VEBO) | 5V (Límite absoluto) |
| Corriente de colector continua (IC) | 800 mA (0.8 A) |
| Corriente de colector pico (ICM) | 1.0 A (Pulsada) |
| Ganancia de corriente continua (hFE) | 100 a 300 (Rango típico a IC = 150mA) |
| Disipación de potencia máxima (PD) | 500 mW (A temperatura ambiente de 25°C) |
| Voltaje de saturación (VCE sat) | 0.3V (Máximo a IC = 150mA, IB = 15mA) |
| Frecuencia de transición (fT) | 250 MHz (Mínimo en alta frecuencia) |
| Encapsulado estándar | TO-18 (Montaje por orificio / Cápsula de metal) |
Pinout (Configuración de Pines)
| Número de Pin | Nombre del Terminal | Descripción Funcional | Dirección física (Vista inferior con pestaña a la izquierda) |
|---|---|---|---|
| Pin 1 | Emisor (E) | Retorno de Corriente / Tierra (GND) | Pin más cercano a la pestaña guía |
| Pin 2 | Base (B) | Entrada de Control Lógica (Inyección) | Centro (Alineación radial interna) |
| Pin 3 | Colector (C) | Conexión a la Carga / Unido a la carcasa | Pin opuesto a la pestaña guía |
Ventajas del 2N2222 Metálico
Disipación Térmica Superior: El encapsulado TO-18 de metal evacúa el calor con mayor velocidad que las variantes plásticas, manteniendo estable la ganancia analógica bajo estrés.
Blindaje Electromagnético: La estructura metálica exterior actúa como una pantalla natural frente a ruidos parásitos externos, cualidad ideal para circuitos de RF sensibles.
Resistencia Corriente Mejorada (800mA): Soporta de manera continua un mayor flujo de amperaje respecto a los transistores convencionales de señal, facilitando el ruteo de cargas intermedias.
Durabilidad en Ambientes Críticos: El sellado hermético protege la oblea de silicio interna contra la oxidación, la humedad ambiental y factores de degradación industrial severos.